（電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）2023年第三季度，對于全球存儲行業(yè)的大多數(shù)企業(yè)來說還在經(jīng)歷寒冬。10月31日，三星電子公布了第三季度財報，數(shù)據(jù)顯示，公司第三季度營收為67.40萬億韓元 (約合人民幣3653億元)，同比下降約12%，但公司凈利潤達5.5萬億韓元，遠超此前預期的2.52萬億韓元。另外一家存儲大廠美光科技，公布2023財年第四季度（截止8月31日）財報顯示，第四季度營收僅為40.1億美元，同比2022財年同期的66.4億美元下降40%。

三星電子負責半導體的DS部門三季度虧損3.75萬億韓元，這是連續(xù)第三個季度出現(xiàn)虧損，加上前兩個季度虧損的8.94萬億韓元，三星半導體今年已經(jīng)累計虧損12.69萬億韓元（約合688億元人民幣）。但是三星表示，由于HBM、DDR5和LPDDR5x等高附加值產(chǎn)品的銷售擴大，以及銷售價格的上漲，所以虧損幅度還是一直在收窄。預期長期低迷的存儲市場即將復蘇。

11月8日，在深圳舉辦的存儲產(chǎn)業(yè)大會上，來自集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷分析了《減產(chǎn)策略下的2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢》，本文將重點分析兩大內(nèi)存產(chǎn)業(yè)動向。

2024年內(nèi)存市場先抑后揚，HBM和DDR5成為潛力增長市場

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，2023年全球存儲市場出現(xiàn)下滑，三星、SK海力士、美光等大型存儲芯片廠商必須通過減產(chǎn)才能消化現(xiàn)在行業(yè)當中的庫存。2023年底比較去年年底，最健康的情況是去庫存已經(jīng)達到成效。三星今年對DRAM做了大幅度減產(chǎn)，特別是第四季度，產(chǎn)能利用率降到70%以下。

據(jù)悉，2023年第四季度DRAM與NAND Flash合約價格將開始全面上漲，DRAM合約價格季漲約3%到8%。

吳雅婷表示，2024年預計DRAM的產(chǎn)能利用率上半年偏低，隨著均價的復蘇還有市場狀況的改善，下半年的時候會提高到13.2%，其中主要是DDR5和HBM產(chǎn)品的貢獻。

從行業(yè)應用來看，2024年PC、服務器、手機、圖形和消費電子對內(nèi)存的需求占比不同，但是服務器對內(nèi)存的需求占據(jù)市場14.8%，超越手機對內(nèi)存市場需求，成為市場供應的主流，真正對均價會產(chǎn)生影響的，主要以服務器需求DRAM為主。

HBM即為高帶寬存儲器，是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等優(yōu)點。HBM已經(jīng)存在十年，在DRAM的整體頹勢之中，HBM卻在逆市增長。2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，HBM3規(guī)格DRAM價格上漲5倍。

吳雅婷分析表示，目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流，預計2023年全球HBM需求量將增近六成，達到2.9億GB，占據(jù)DRAM整體營收的3%，但是2024年HBM供應量將會增長一倍，在整個DRAM營收中占比將達到9%。

DDR5在服務器和PC上的使用進程不如預期，DDR5的滲透率在DRAM占比不大。但是業(yè)內(nèi)三大存儲芯片原廠都把最先進制程放到DDR5的生產(chǎn)上，三星電子計劃從今年第四季度開始全面提高DDR5產(chǎn)量。三星主要在平澤廠生產(chǎn)DDR5等最新產(chǎn)品；SK海力士今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。美光在今年9月末的財報會議上表示，正在出樣128 GB DDR5內(nèi)存模塊，采用美光32 Gb DDR5內(nèi)存芯片。

吳雅婷認為，HBM和DDR5明年可能都會爭奪原廠的工藝制程，根據(jù)現(xiàn)在行業(yè)客戶的需求，HBM3e將在2024年支持主要AI服務器需求，這也是AMD、亞馬遜和微軟向SK海力士獲取HBM3e樣本的原因。

終端產(chǎn)品出貨量來看，服務器需求DRAM的量2024年比較2023年會增加2.3%。手機對DRAM需求，2024年比較2023年會增加2.9%。PC對DRAM需求量2024年比較2023年會增加2.1%。

哪些內(nèi)存類別將成為主流獲利來源？2024年預計產(chǎn)業(yè)增長接近40%

吳雅婷認為，包括LPDDR5X、DDR5和HBM三大產(chǎn)品線將是原廠主要的獲利來源。2023年到2024年，存儲行業(yè)經(jīng)受很大挑戰(zhàn)，幾乎沒有供應商能賺錢，三星、SK海力士和美光在資本支出都非常謹慎,未來幾個季度產(chǎn)能的增加會非常小。

“2024年，不僅因為供需平衡造成DRAM均價上漲，還有HBM產(chǎn)品的增長，會帶動行業(yè)來到40%的增長?！?吳雅婷總結說。

據(jù)悉，TrendForce公司表示，預計內(nèi)存供應商將繼續(xù)“在2024年縮減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量”。同時，該公司還預測，到2024年，DRAM和NAND閃存的需求將分別增長13%和16%。


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