chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-車載充電機

全芯時代 ? 來源:全芯時代 ? 2023-11-14 09:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

車載充電機(On-board charger,簡稱OBC),是內(nèi)置在車輛中,將外部輸入的交流電轉(zhuǎn)換為蓄電池所需的直流電,從而為電動汽車提供動力。

車載充電機產(chǎn)品圖

5361f13e-8285-11ee-939d-92fbcf53809c.png

OBC通常是二級電源轉(zhuǎn)換器,由功率因子校正級 (PFC) 和隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器級組成。

OBC充電功率從2kW到22kW不等,隨著快速充電的訴求,11kW甚至22kW的設(shè)計逐漸成為趨勢。配合高功率的趨勢,碳化硅功率器件在OBC應(yīng)用中也越來越廣。

53753d66-8285-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖片來源:Wolfspeed

我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導(dǎo)通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET,最大漏源電流56A(Tc= 25°C),工作結(jié)溫范圍-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向電容13pF,已在多家頭部客戶批產(chǎn),性能反饋優(yōu)異。

除了SiCMOS,我司在車載充電機中還可提供變壓器定制,電流傳感器、數(shù)字隔離器CAN收發(fā)器、MOS管、電平轉(zhuǎn)換、肖特基二極管等國產(chǎn)器件的選型匹配。








審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12546

    瀏覽量

    236173
  • 蓄電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    1647

    瀏覽量

    73031
  • 電源轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    384

    瀏覽量

    35842
  • OBC
    OBC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    198

    瀏覽量

    18658
  • 車載充電機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    157

    瀏覽量

    12191

原文標題:國產(chǎn)碳化硅MOS推薦----車載充電機

文章出處:【微信號:quanxin100,微信公眾號:全芯時代】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅電機驅(qū)動中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?6460次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在<b class='flag-5'>電機</b>驅(qū)動中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1064次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?843次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?757次閱讀

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?1292次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅(qū)動電壓如何選擇

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?674次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?821次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?986次閱讀
    高頻電鍍電源<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1764次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2390次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    浮思特 | 碳化硅驅(qū)動電機的總擁有成本——總體情況

    在各種應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功之后,碳化硅準備進入競爭激烈的工業(yè)電機驅(qū)動市場。碳化硅功率模塊的實際好處不僅僅局限于效率提升。對比兩種電機驅(qū)動類型可以看到在各個方面都能節(jié)省成本。關(guān)鍵是從整體
    的頭像 發(fā)表于 12-05 11:25 ?1189次閱讀
    浮思特 | <b class='flag-5'>碳化硅</b>驅(qū)動<b class='flag-5'>電機</b>的總擁有成本——總體情況