日本不僅推進2nm工程，還在推進更發(fā)達的半導體制造技術。日本半導體公司Rapidus和東京大學表示，將與法國半導體研究機構leti共同開發(fā)設計電路寬度為1納米（納米）的新一代半導體的基礎技術，到2024年為止，將正式開展人力交流和技術共享。Rapidus將利用leti的技術構筑1納米芯片產品供應體制。

雙方的目標是，確立設計開發(fā)線寬為1.4m1納米的半導體所必需的基礎技術。這個節(jié)點需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結構，leti在該領域的膜形成等關鍵技術上占據(jù)優(yōu)勢。

此前，日本北海道的Rapidus報道說，以2027年批量生產2nm制程晶圓為目標，正在與比利時的半導體開發(fā)機構imec、美國ibm進行合作。新一代1nm產品的能源效率和性能比2nm node高出10~20%，預計將在2030年以后普及。拉菲德斯不僅在leti技術上，在1nm技術上也與ibm合作。

Rapidus已經(jīng)在2023年初向ibm派遣了數(shù)百名工程師，讓他們學習最新的2nm技術，imec也正在討論不久后在日本設立分公司。