三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技
發(fā)表于 11-19 15:34
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%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導(dǎo)體芯片
發(fā)表于 09-15 14:50
個先例,其變化形式如圖6所示。
晶背供電技術(shù)已被證明,它可以很好地解決5nm以下芯片的電源完整性問題,同樣也證明
它是優(yōu)化特定版圖設(shè)計任務(wù)的用力工具。
圖6 功能性晶
隨著工藝創(chuàng)新的層出不窮,相信摩爾神話還能持續(xù),
發(fā)表于 09-06 10:37
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用
發(fā)表于 09-04 17:52
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Performance Body-bias)方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進(jìn)展順利,
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程
發(fā)表于 07-03 15:56
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預(yù)計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善
發(fā)表于 03-23 11:17
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次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預(yù)計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4
發(fā)表于 03-12 16:07
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入
發(fā)表于 01-22 15:54
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(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
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近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
發(fā)表于 01-22 14:04
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)計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對3nm、5nm
發(fā)表于 01-03 10:35
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