應(yīng)用電路

DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專利技術(shù) )，利用該器件的亞閾值特性可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓或電流輸出。在Type-C PD充電器電路中，使用DMZ(X)1015E作為高壓線性穩(wěn)壓器可以使PWM IC電源電路更加簡(jiǎn)化。

其中DMZ1015E的封裝形式為SOT-23, DMX1015E的封裝形式為 SOT-89。

DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理，其應(yīng)用電路圖如下：

圖1.采用DMX1015E為Type-C PD充電器PWM IC供電

DMX1015E耐壓高達(dá)100V，能承受更寬的輸入電壓。同時(shí) DMX1015E采用SOT-89封裝，有較高的耗散功率(能達(dá)到1W)，另外較之DMZ0615E有較高的鉗位輸出電壓，適合于上述單繞組的VCC供電。

在充電器輸出電壓范圍很寬的工作狀態(tài)下(3.3-20V), 給PWM IC供電的附加繞組輸出電壓往往能達(dá)到80V以上，這樣采用DMX1015E，以單繞組的形式給VCC供電，DMX1015E漏源間承受的電壓較高，功耗較大，效率較低。

因此常采用雙繞組的形式給VCC供電，以降低功耗，提高效率，如圖2 所示：

圖2.采用DMZ1015E以雙繞組方式為Type-C PD充電器PWM IC供電

當(dāng)充電器輸出電壓較低時(shí)(如10V以下時(shí))，繞組2通過(guò)DMZ1015E給VCC供電。此時(shí)繞組2的輸出電壓較低，DMZ1015E的漏源電壓并不高，功耗較低，因此采用功耗較小的SOT-23封裝的DMZ1015E。

當(dāng)充電器輸出電壓較高時(shí)(比如12-20V)，此時(shí)主要通過(guò)繞組1給VCC 供電，通過(guò)合理的繞組匝數(shù)比設(shè)計(jì)，繞組1的VCC供電電壓能達(dá)到15V-24V，此時(shí)DMZ1015E只有很小的電流流過(guò)，甚至基本關(guān)斷，因此功耗極低，可以忽略。

這樣采用雙繞組，通過(guò)DMZ1015E給VCC供電，具有較高的工作效率，同時(shí)由于采用了較小的SOT-23封裝，也節(jié)省了BOM成本。

DMZ(X)1015E規(guī)格書(shū)