
























































審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5452文章
12572瀏覽量
374572 -
TSV
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
137瀏覽量
82639 -
硅通孔
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
28瀏覽量
12115 -
封裝材料
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
67瀏覽量
9138 -
先進(jìn)封裝
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
533瀏覽量
1027
原文標(biāo)題:集成電路封裝材料-硅通孔相關(guān)材料(57頁(yè)P(yáng)PT)
文章出處:【微信號(hào):半導(dǎo)體之芯,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體之芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
硅通孔電鍍材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用
硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案,TSV
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)是一種新的工藝技術(shù),有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米
發(fā)表于 04-15 19:59
電線外徑測(cè)厚儀——絕緣層厚度便捷檢測(cè)
` 電線外徑測(cè)厚儀是利用雙測(cè)徑儀聯(lián)動(dòng)測(cè)厚完成的測(cè)量,通過(guò)兩種絕緣層前后安裝兩臺(tái)測(cè)徑儀,分別測(cè)量線芯與成纜尺寸的外徑,通過(guò)計(jì)算得到絕緣層厚度,采用補(bǔ)償技術(shù),精準(zhǔn)的測(cè)量電纜絕緣層厚度?!?/div>
發(fā)表于 03-11 15:18
導(dǎo)線絕緣層恢復(fù)材料和絕緣層恢復(fù)方法
導(dǎo)線絕緣層破損后必須恢復(fù)絕緣,導(dǎo)線連接后,也必須恢復(fù)絕緣,恢復(fù)后的絕緣強(qiáng)度不應(yīng)低于原來(lái)的絕緣強(qiáng)度,通常用黃蠟帶、滌綸薄膜帶和黑膠布作為
發(fā)表于 09-08 16:30
?8次下載
技術(shù)普及篇|網(wǎng)線絕緣層
的作用是防止信號(hào)在線纜中傳輸時(shí)發(fā)生漏電現(xiàn)象,導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄漏;由于網(wǎng)線的導(dǎo)體都包裹著絕緣層,避免了漏電現(xiàn)象。這為線對(duì)的雙絞以及多對(duì)線包裹在一個(gè)較小的護(hù)套內(nèi)進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸提供了可能。此外,網(wǎng)線中的導(dǎo)體是無(wú)氧銅
發(fā)表于 11-09 14:57
?2652次閱讀
如何恢復(fù)導(dǎo)線的絕緣層_導(dǎo)線絕緣層的恢復(fù)方法
當(dāng)發(fā)現(xiàn)導(dǎo)線絕緣層破損或完成導(dǎo)線連接后,一定要恢復(fù)導(dǎo)線的絕緣。要求恢復(fù)后的絕緣強(qiáng)度不應(yīng)低于原有絕緣層。所用材料通常是黃蠟帶、滌綸薄膜帶和黑膠帶,黃蠟帶和黑膠帶一般選用寬度為20mm的。
圖文詳解:導(dǎo)線絕緣層的剝削
在連接絕緣導(dǎo)線前,需要先去掉導(dǎo)線連接處的絕緣層而露出金屬芯線,再進(jìn)行連接 ,剝離的絕緣層長(zhǎng)度為50~100mm,通常線徑小的導(dǎo)線剝離短些,線徑粗的剝離長(zhǎng)些。絕緣導(dǎo)線種類較多,
發(fā)表于 08-06 17:25
?1.2w次閱讀
晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用
之一。本文介紹了微凸點(diǎn) 制備的主要技術(shù)并進(jìn)行優(yōu)劣勢(shì)比較,同時(shí)詳述了錫球凸點(diǎn)和銅柱凸點(diǎn)兩種不同的微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),為微凸點(diǎn)技術(shù)的更深入研究提供 參考。最后,本文整理了微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)
一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝
柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。
TSV制造技術(shù)里的通孔刻蝕與絕緣層
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積,到銅電鍍填充及改進(jìn)
硅通孔(TVS)技術(shù)相關(guān)知識(shí) 絕緣層在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用
評(píng)論