硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合等互連方案,TSV
發(fā)表于 10-14 08:30
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FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)是一種新的工藝技術(shù),有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米
發(fā)表于 04-15 19:59
` 電線(xiàn)外徑測(cè)厚儀是利用雙測(cè)徑儀聯(lián)動(dòng)測(cè)厚完成的測(cè)量,通過(guò)兩種絕緣層前后安裝兩臺(tái)測(cè)徑儀,分別測(cè)量線(xiàn)芯與成纜尺寸的外徑,通過(guò)計(jì)算得到絕緣層厚度,采用補(bǔ)償技術(shù),精準(zhǔn)的測(cè)量電纜絕緣層厚度。
發(fā)表于 03-11 15:18
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下鋁基板的絕緣層是什么材料?`
發(fā)表于 03-30 11:40
導(dǎo)線(xiàn)絕緣層破損后必須恢復(fù)絕緣,導(dǎo)線(xiàn)連接后,也必須恢復(fù)絕緣,恢復(fù)后的絕緣強(qiáng)度不應(yīng)低于原來(lái)的絕緣強(qiáng)度,通常用黃蠟帶、滌綸薄膜帶和黑膠布作為
發(fā)表于 09-08 16:30
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的作用是防止信號(hào)在線(xiàn)纜中傳輸時(shí)發(fā)生漏電現(xiàn)象,導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄漏;由于網(wǎng)線(xiàn)的導(dǎo)體都包裹著絕緣層,避免了漏電現(xiàn)象。這為線(xiàn)對(duì)的雙絞以及多對(duì)線(xiàn)包裹在一個(gè)較小的護(hù)套內(nèi)進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸提供了可能。此外,網(wǎng)線(xiàn)中的導(dǎo)體是無(wú)氧銅
發(fā)表于 11-09 14:57
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當(dāng)發(fā)現(xiàn)導(dǎo)線(xiàn)絕緣層破損或完成導(dǎo)線(xiàn)連接后,一定要恢復(fù)導(dǎo)線(xiàn)的絕緣。要求恢復(fù)后的絕緣強(qiáng)度不應(yīng)低于原有絕緣層。所用材料通常是黃蠟帶、滌綸薄膜帶和黑膠帶,黃蠟帶和黑膠帶一般選用寬度為20mm的。
發(fā)表于 10-11 15:47
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在連接絕緣導(dǎo)線(xiàn)前,需要先去掉導(dǎo)線(xiàn)連接處的絕緣層而露出金屬芯線(xiàn),再進(jìn)行連接 ,剝離的絕緣層長(zhǎng)度為50~100mm,通常線(xiàn)徑小的導(dǎo)線(xiàn)剝離短些,線(xiàn)徑粗的剝離長(zhǎng)些。絕緣導(dǎo)線(xiàn)種類(lèi)較多,
發(fā)表于 08-06 17:25
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電子線(xiàn)的絕緣層通常應(yīng)具備哪些特性? 康瑞連接器廠(chǎng)家為大家總結(jié)了幾點(diǎn),具體如下:
發(fā)表于 08-05 14:28
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先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
發(fā)表于 09-06 11:16
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詳細(xì)解說(shuō)pcb板表面絕緣層
發(fā)表于 09-28 09:55
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之一。本文介紹了微凸點(diǎn) 制備的主要技術(shù)并進(jìn)行優(yōu)劣勢(shì)比較,同時(shí)詳述了錫球凸點(diǎn)和銅柱凸點(diǎn)兩種不同的微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),為微凸點(diǎn)技術(shù)的更深入研究提供 參考。最后,本文整理了微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)
發(fā)表于 10-16 11:41
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柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。
發(fā)表于 11-20 17:38
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Hello,大家好,今天我們來(lái)分享下什么是先進(jìn)封裝中的TSV/硅通孔技術(shù)。 TSV:Throug
發(fā)表于 12-17 14:17
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相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積,到銅電鍍填充及改進(jìn)
發(fā)表于 08-01 09:13
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評(píng)論