據(jù)《日經(jīng)新聞》獲悉，日本芯片制造商 Rapidus 和東京大學(xué)正在與法國(guó)研究機(jī)構(gòu) Leti 合作，共同開發(fā)使用 1 納米范圍技術(shù)設(shè)計(jì)芯片的基礎(chǔ)技術(shù)。

合作伙伴最早將于明年開始積極交換人員并共享技術(shù)。Leti將貢獻(xiàn)其在芯片組件方面的專業(yè)知識(shí)，以構(gòu)建供應(yīng)1納米產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。

Rapidus已經(jīng)與IBM和比利時(shí)研發(fā)集團(tuán)Imec合作，實(shí)現(xiàn)2027年量產(chǎn)2納米芯片的目標(biāo)。預(yù)計(jì)1納米半導(dǎo)體最快將在2030年代進(jìn)入主流。

與 2 納米相比，1 納米技術(shù)可將功效和計(jì)算性能提高 10% 至 20%。IBM 也在考慮在 1 納米領(lǐng)域進(jìn)行合作。

跨越日本、美國(guó)和歐洲的跨境合作伙伴關(guān)系預(yù)計(jì)將為下一代芯片帶來(lái)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈。

去年，Rapidus、東京大學(xué)和其他日本國(guó)立大學(xué)與日本理化學(xué)研究所聯(lián)合成立了尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心（LSTC）。10 月，LSTC 與 Leti 簽署了一份諒解備忘錄，探討合作。

LSTC 和 Leti 希望建立設(shè)計(jì)采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導(dǎo)體所需的基本技術(shù)。制造1納米產(chǎn)品需要不同的晶體管結(jié)構(gòu)，而在該領(lǐng)域，Leti在薄膜沉積和類似技術(shù)方面實(shí)力雄厚。

Leti牽頭研究新的晶體管結(jié)構(gòu)，LSTC將合作評(píng)估和測(cè)試原型，以及派遣人員。

對(duì)于傳統(tǒng)的芯片元件結(jié)構(gòu)，超過(guò)一定程度的小型化會(huì)降低功率效率并限制性能提高的范圍。日本在 1 納米范圍內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)開發(fā)方面沒有本土技術(shù)。

有鑒于此，Rapidus和其他日本利益相關(guān)者設(shè)想通過(guò)聯(lián)合研究和進(jìn)口1納米設(shè)計(jì)技術(shù)與海外研究機(jī)構(gòu)和公司建立關(guān)系。Rapidus于去年在日本政府的支持下成立，旨在重振國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)。

2000年代初期，日本啟動(dòng)了多個(gè)旨在開發(fā)小型化技術(shù)的國(guó)家半導(dǎo)體項(xiàng)目，但均未能取得有意義的成果。由于巨大的成本負(fù)擔(dān)，日本大型電子制造商退出了先進(jìn)芯片的開發(fā)。

目前，日本企業(yè)只能生產(chǎn)40納米工藝的半導(dǎo)體。

麥肯錫公司 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望達(dá)到 1 萬(wàn)億美元，而 2021 年約為 6000 億美元。各國(guó)正在激烈競(jìng)爭(zhēng)大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)芯片。

全球領(lǐng)先的三星電子和臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)采用 2 納米技術(shù)的半導(dǎo)體。生產(chǎn) 4 納米產(chǎn)品的英特爾計(jì)劃明年開始采用 1.8 納米工藝制造芯片。

Rapidus 將于 2025 年 4 月啟動(dòng)一條生產(chǎn) 2 納米產(chǎn)品的試驗(yàn)生產(chǎn)線。該公司計(jì)劃于 2027 年在北海道大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體。

Rapidus 成立于去年 8 月，由豐田汽車和 NTT 等八家日本公司投資 73 億日元（4,850 萬(wàn)美元）。經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在向 Rapidus 提供 3300 億日元的補(bǔ)貼。