低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data RateSDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)通信產(chǎn)品，故又簡稱為 mDDR (Mobile DDR)。產(chǎn)品系列包括 LPDDR/2/3/4，是JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）面向低功耗內(nèi)存而制定的。LPDDR 因體積小，專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。?

LPDDR 采用了多項(xiàng)改進(jìn)技術(shù)，最顯著的改進(jìn)是將電壓從2.5V 降到 1.8V,再由于溫度補(bǔ)償更新 (Temperature Compensated Refresh）技術(shù)而進(jìn)一步降低功耗，因此 LPDDR 具有低功耗、高可靠性的特征。LPDDR2 的部分陣列更新了一些技術(shù)，低功耗狀態(tài)與 LPDDR 基本相似，但與 DDR1 或 DDR2 SDRAM 不兼容。

2012年5 月JEDEC 正式發(fā)布了 LPDDR3 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范．它支持疊層封裝(Package on Package， PoP） 和獨(dú)立封裝，以滿足不同類型移動(dòng)設(shè)備的需要。LLPDDR2 的能效特性和信號(hào)界面也都在 LPDDR3 中得以延線。此外，LPDDR3 重點(diǎn)加入了“寫入均衡與指令地址調(diào)訓(xùn)”( Write-Leveling and CA Training）和片內(nèi)終結(jié)器 （On-Die Termination, ODT) 等新技術(shù)。

LPDDR2、LPDDR3和LPDDR4 的主要性能指標(biāo)見表2-3。

審核編輯：湯梓紅