本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34
66 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
九講 A/D轉(zhuǎn)換器 第三十講 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 第三十二講 可編程邏輯器件及應(yīng)用 第三十三講 PLD器件的應(yīng)用[此貼子已經(jīng)被作者于2009-3-30 21:49:22編輯過]
2009-03-30 18:05:08
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28380 無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55135 RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:203956 
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:573874 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39368 
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15464 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:462443 
SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32681 W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:06
0 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝（6
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個(gè)SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個(gè)16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個(gè)2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個(gè)4-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021020 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。該
2022-04-24 15:59:18476 
什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:36657 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 。因此，ROM常用來存儲(chǔ)系統(tǒng)程序，具有開機(jī)自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱為讀寫存儲(chǔ)器。當(dāng)信息被讀出時(shí)，內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變；寫入時(shí)，新寫入的信息會(huì)覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3512442 貿(mào)澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ReRAM） 產(chǎn)品。
2021-12-13 14:06:53892 
實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-11-23 17:51:0737 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451783 ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測(cè)，20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00829 
UG-1755：評(píng)估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等應(yīng)用的興起，存儲(chǔ)器也面臨著革新。傳統(tǒng)的DRAM受限于EUV的發(fā)展，平面NAND也面臨著微縮的限制，而最終采取垂直方向上朝著3D方向發(fā)展。在傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)接受挑戰(zhàn)的過程中，類似于MRAM等新型存儲(chǔ)技術(shù)也開始逐漸在市場(chǎng)上展露頭角。
2021-01-18 11:16:152414 
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:165427 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034375 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582595 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311709 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的學(xué)習(xí)課件資料說明包括了：存儲(chǔ)器基本概念，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM），存儲(chǔ)器連接與擴(kuò)充應(yīng)用，微機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)
2020-05-08 08:00:002 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問，RAM 中的數(shù)據(jù)在掉電時(shí)會(huì)丟失； ROM（Read Only Memory）存儲(chǔ)器又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從中讀取信息而不能任意寫信息。ROM 具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點(diǎn)。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：
2020-04-09 08:00:004 我們?cè)S多人都知道，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。
2020-01-13 11:50:271808 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:29936 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）、可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）、相變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM）等新型存儲(chǔ)器，開始被市場(chǎng)采用，而AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng)。
2019-07-29 16:38:053007 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4230558 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243420 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4914197 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0011136 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1142318 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921 所謂「隨機(jī)訪問」，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對(duì)的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011402 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5818595 美國(guó)芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國(guó)存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個(gè)在中國(guó)的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005397 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲(chǔ)器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個(gè)接口都支持異步存儲(chǔ)器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SBSRAM）和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:217857 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052566 賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610268 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:234064 固態(tài)硬盤是一種基于永久性存儲(chǔ)器，如閃存或非永久性存儲(chǔ)器、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的計(jì)算機(jī)外部存儲(chǔ)設(shè)備。
2012-05-30 15:21:171178 據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40672 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011450 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 (semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10196 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321833 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011338 名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無
2010-06-29 18:16:592117 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第三十一節(jié):負(fù)反饋放大電路的四種類型
7.2 負(fù)反饋放大電路的四種類型
一、電壓串聯(lián)負(fù)反饋
2009-09-17 11:56:461326 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-22 09:39:18527 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49637 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43647 
第三十講 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
第9章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器9.1 概述
9.2 只讀存儲(chǔ)器9.2.1固定ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理一
2009-03-30 16:36:091061 
存儲(chǔ)器名詞解釋 RAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。每一存儲(chǔ)單元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可寫的易失性存儲(chǔ)器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402670
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的狀態(tài)控制
線 。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論