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回復(fù):功率MOSFET管具有抗雪崩UIS能力,只要不超過(guò)UIS額定值,即使是高于額定的電壓值,單獨(dú)一次雪崩不會(huì)擊穿損壞功率MOSFET
發(fā)表于 11-19 06:35
APD雪崩光電二極管是一種常見(jiàn)的光電探測(cè)器,它因相比PD光電二極管具有更高微光探測(cè)能力(更高的增益),相比PMT光電倍增管具有更低的價(jià)格,而被廣泛用于測(cè)距/醫(yī)療等行業(yè)。 這篇文章主要對(duì)APD雪崩
發(fā)表于 10-21 09:22
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N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
發(fā)表于 09-15 09:57
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SiC MOSFET器件的短路耐受能力,在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的,在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期,使用單管封裝測(cè)試的,2-3μs;到模塊
發(fā)表于 09-02 14:56
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科普|通信射頻接頭學(xué)習(xí)
發(fā)表于 08-19 17:09
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在功率器件的參數(shù)表中,我們??吹?b class='flag-5'>MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指標(biāo),用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而,在MDD肖特基二極管
發(fā)表于 08-14 09:40
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儲(chǔ)能電池包 BMS的主開(kāi)關(guān),是充放電回路的 “安全守門人”,直接關(guān)系到電池系統(tǒng)的運(yùn)行安全與壽命。寬電壓波動(dòng)、大快充電流、感性負(fù)載尖峰等等挑戰(zhàn),對(duì)MOSFET 的耐壓、電流承載、雪崩能量提出了極高
發(fā)表于 08-12 16:52
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單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負(fù)載時(shí),在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下,所能承受的最大能量消耗,單位是焦耳(J),其值越大,器件在電路中遭遇瞬間過(guò)電壓或過(guò)電流
發(fā)表于 05-15 15:32
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,則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
PD表示最大耗散功率,是指MOS性
發(fā)表于 04-11 11:04
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng),IXYS有一款MOSFET
發(fā)表于 03-25 13:43
、參數(shù)與應(yīng)用,除針對(duì)目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢(shì)做簡(jiǎn)單介紹外,還將簡(jiǎn)單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用
電源
發(fā)表于 03-24 15:03
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性和高頻性能等特點(diǎn),成為新一代電力電子器件的代表
發(fā)表于 01-06 17:01
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隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
發(fā)表于 01-04 12:37
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線),而其
發(fā)表于 12-30 10:23
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提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
發(fā)表于 12-16 14:09
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評(píng)論