文章來源：Jeff的芯片世界

原文作者：Jeff的芯片世界

在功率MOSFET器件的設計與選型中，單脈沖雪崩能量（Single Pulse Avalanche Energy, EAS）是一個至關重要的參數。它量化了器件在極端過壓條件下，單次承受雪崩能量的能力，其單位是焦耳（J）。EAS值越大，意味著器件在遭遇瞬間電壓尖峰時越不易損壞。

EAS的基本概念與重要性

EAS，全稱為單次雪崩能量，用于衡量MOSFET在漏源（DS）端承受過壓應力的能量耐受極限。該參數的形象描述來源于測試過程：當電壓升高至臨界點后，電流會迅速崩塌，類似雪崩現(xiàn)象。在器件手冊中，EAS為設計者提供了明確的耐受能力參考，是評估器件可靠性與電路安全性的關鍵指標之一。

在實際應用中，EAS主要描述單次雪崩事件。器件手冊中還存在另一個參數EAR（可重復雪崩能量），其限定值通常遠小于EAS，對芯片長期可靠性的影響較小。因此，電路設計中應重點考慮并避免大能量EAS事件的發(fā)生。

EAS的測試原理與評估方法

EAS的測試通?；诟行?a target="_blank">負載開關電路。其基本原理是：通過柵極信號控制MOSFET導通，為串聯(lián)的電感充電；關斷MOSFET時，電感中儲存的能量會通過器件釋放，迫使漏源電壓VDS上升并可能超過其擊穿電壓BV_DSS，進入雪崩狀態(tài)。測試直至器件失效，并根據失效前的電流等參數計算所消耗的能量。

一種典型的測試方法是：設定母線電壓V_DD，在柵源極間施加一個脈沖電壓（如10V）使器件導通，電感電流上升至特定值I_AS后關斷器件。電感能量釋放導致雪崩，通過測量或計算得到EAS。需要注意的是，準確的EAS計算應使用實際測試中測得的BV_DSS值，而非直接采用手冊標稱值，且不同廠家的測試條件可能存在差異，因此不能僅憑規(guī)格書數值直接比較不同器件的EAS能力。

影響EAS的關鍵因素

EAS的大小并非固定值，它受到芯片溫度、測試電路電感及電流等多重因素影響。

1. 溫度的影響：EAS導致?lián)p壞的本質是芯片過熱。芯片的初始結溫（Tj）直接影響其EAS能力——初始溫度越高，可承受的EAS能量越小。在雪崩過程中，能量轉化為熱量導致溫升，其關系可表述為：在電流不變的條件下，溫升與吸收的能量成正比。

2. 電感與電流的影響：手冊中給出的EAS值通常對應特定的測試電流I_D。EAS能量與電感中儲存的能量直接相關。根據能量公式推導，在保持溫升和最大雪崩電壓不變的條件下，若電感量增加，為了達到相同的溫升，所允許的雪崩電流會減小。綜合來看，電感量增大數倍，EAS能量會增加，但同時雪崩電流會減小。

EAS的失效模式與機理

當雪崩能量超過器件極限時，會導致破壞性失效，主要模式有兩種。

第一種是寄生二極管雪崩燒毀。MOSFET內部存在一個體二極管（寄生二極管）。當器件關斷，感性負載續(xù)流時，寄生二極管承受反向電壓。若電壓尖峰使其進入雪崩擊穿狀態(tài)，大電流和高電壓將在芯片內部產生大量熱量，若無法及時散熱，將導致器件因過熱而燒毀。

第二種是寄生雙極型晶體管（BJT）開啟。MOSFET結構內部還存在一個由源極、P基區(qū)和N-漂移區(qū)形成的寄生NPN晶體管。正常情況下其處于關閉狀態(tài)。當寄生二極管發(fā)生雪崩擊穿時，流經P基區(qū)橫向電阻RB的電流增大，可能導致RB兩端的壓降超過寄生BJT的開啟電壓（VBE），從而使其導通。一旦寄生BJT開啟，會形成大電流通道，使MOSFET失效短路。為抑制此失效模式，現(xiàn)代MOSFET設計會致力于減小RB電阻。目前，大多數EAS失效案例仍以寄生二極管雪崩擊穿過熱為主。

EAS燒毀點常集中在柵極焊盤（PAD）附近。這是因為距離柵極越近的元胞，其寄生參數越小，關斷速度越快，在雪崩事件中會先于其他區(qū)域承受應力并發(fā)生擊穿。

電路設計中的保護措施

為避免EAS事件損壞器件，可在電路設計中采取保護措施。例如，在變壓器或感性負載兩端并聯(lián)RCD吸收回路，以箝位和吸收反向尖峰電壓。也可以在MOSFET的漏源極之間并聯(lián)RC吸收電路。此外，適當增大柵極串聯(lián)電阻可以減緩關斷速度（抑制dv/dt），從而降低電壓尖峰，但需權衡由此增加的關斷損耗。優(yōu)化PCB布局，加粗大電流路徑并縮短走線，有助于降低線路寄生電感，從根源上減少電壓尖峰能量。