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【科普小貼士】MOSFET的性能:漏極電流和功耗

jf_pJlTbmA9 ? 來源:東芝半導(dǎo)體 ? 作者:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-07 17:23 ? 次閱讀
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允許損耗和漏極電流MOSFET的典型最大額定值,計(jì)算如下。
(有些產(chǎn)品采用了不同的電流表達(dá)式。)
通過熱阻和結(jié)溫來計(jì)算功耗。漏極電流將采用歐姆定律,由計(jì)算得出的功耗和導(dǎo)通電阻進(jìn)行計(jì)算。

PD:功耗

?器件指定溫度條件下允許的功耗

wKgaomVdmH2AFBPNAAAnDhFioS4873.png

ID:漏極電流

?直流額定值:正向流動(dòng)的直流電流。(在室溫下定義)

wKgaomVdmH-AX9vWAAAinOSvULY133.png

IDp:脈沖漏極電流

?指定脈寬下的最大漏極電流。一般是直流電流的4倍。

wKgZomVdmICAEz4iAAAZ0HEHvH8194.png

文章來源:東芝半導(dǎo)體

審核編輯 黃宇

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