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開關(guān)電源芯片輸出電壓調(diào)整率技術(shù)指南

冬至子 ? 來源:中芯巨能 ? 作者:中芯巨能 ? 2023-11-23 16:28 ? 次閱讀
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01如何改善高壓非隔離架構(gòu)的輸出電壓調(diào)整率?

大家首先要了解在DCM工作模式下,高壓浮地Buck工作模態(tài)包括:勵磁模態(tài)、消磁模態(tài)和振蕩模態(tài)。

勵磁模態(tài)[t0,t1]

消磁模態(tài)[t1,t2]

振蕩模態(tài)[t2,t3]

關(guān)鍵點(diǎn)工作波形

在消磁期間[t1,t2],由于D1導(dǎo)通,VDD和Vo共地,Vo可以通過VDD真實(shí)反饋:

備注:VF1和VF2分別為D1和D2的正向壓降

在振蕩期間[t2,t3],由于D1截止,Vo不能通過VDD直接反饋,Vo向負(fù)載供電,VDD向控制芯片供電,如果Cvdd和Co的放電速率相等則VDD可以間接反饋Vo。

此類浮地Buck架構(gòu),控制芯片通過VDD電壓間接采樣輸出電壓,閉環(huán)調(diào)節(jié)Buck變換器能量使得輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值。而浮地Buck-boost架構(gòu),輸出電壓間接采樣及穩(wěn)壓原理相同,不再贅述。

實(shí)戰(zhàn)技巧

對于芯朋微PN8034、PN8016、AP8506等非隔離高壓芯片,為提高輸出電壓調(diào)整率,建議如下:

1.由公式(1)式可知,可通過調(diào)整D1和D2正向壓降來微調(diào)輸出電壓穩(wěn)態(tài)值;
2.不同負(fù)載下,輸出電容的放電速率變化較大,為改善輸出電壓負(fù)載調(diào)整率,供電電容放電速率建議為0.5~2倍的輸出電容滿載放電速率。

02、如何改善原邊反饋反激架構(gòu)的輸出電壓調(diào)整率?

在DCM工作模式下,原邊反饋反激電源的典型電路及工作波形如下:

典型電路圖

關(guān)鍵點(diǎn)工作波形

在消磁期間[t1,t3],D1導(dǎo)通后變壓器被輸出電壓Vo鉗位,折射到VFB的電壓為:

備注:VF1為D1的正向壓降

控制芯片在消磁期間對VFB電壓進(jìn)行脈沖采樣及保持,則可以獲取到輸出電壓信息,為了避免變壓器漏感振蕩對輸出電壓采樣的影響,芯片的采樣保持點(diǎn)需避開[t1,t2]區(qū)間。

實(shí)戰(zhàn)技巧

對于芯朋微PN8370、PN8680、PN8390、PN8575等PSR芯片,為提高輸出電壓調(diào)整率,建議如下:

1.為了避免漏感振蕩對輸出電壓間接采樣的影響,RCD吸收電路的串聯(lián)電阻Rrcd建議大于100Ω,F(xiàn)B腳并聯(lián)電容CFB建議大于33pF;
2.為了減小VDD回路對輸出電壓間接采樣的影響,D2建議用快管,Rvdd建議大于4.7Ω;
3.變壓器設(shè)計合理,最小消磁時間Tdmg_min務(wù)必大于2us(推薦大于2.5us),利于芯片內(nèi)部的采樣和保持(S/H)運(yùn)算。

備注:其中Vcs_min為芯片CS腳的最小基準(zhǔn)電壓

03、典型應(yīng)用案例

浮地Buck智能wifi排插應(yīng)用案例

5V250mA Buck 非隔離方案

浮地Buck-boost智能家電應(yīng)用案例

12V300mA Buck-Boost 非隔離方案

原邊反饋Flyback網(wǎng)通適配器應(yīng)用案例

12V1.5A 適配器應(yīng)用方案

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