當(dāng)前，隨著智能手機(jī)行業(yè)不斷向前發(fā)展，各大品牌廠商紛紛在軟硬件升級(jí)方面展開布局。例如，推出自研操作系統(tǒng)，升級(jí)影像系統(tǒng)、引入最新的顯示技術(shù)等。從市場(chǎng)趨勢(shì)中可以窺見，極致的用戶體驗(yàn)背后需要強(qiáng)大的硬件與先進(jìn)的軟件算法緊密結(jié)合。嵌入式存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)的關(guān)鍵硬件之一，其性能、功耗、體積是影響手機(jī)競(jìng)爭(zhēng)力的重要因素。同時(shí)，存儲(chǔ)器與其他軟硬件的協(xié)同能力也深刻影響著智能手機(jī)的用戶體驗(yàn)。

根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，除ios系統(tǒng)外，53%的智能手機(jī)采用集成式存儲(chǔ)方案，33%的智能手機(jī)采用分離式存儲(chǔ)方案。佰維存儲(chǔ)憑借在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的解決方案研發(fā)能力和先進(jìn)封裝測(cè)試優(yōu)勢(shì)，可為手機(jī)品牌廠商提供包括分離式存儲(chǔ)方案(eMMC/UFS + LPDDR)和集成式存儲(chǔ)方案(eMCP/uMCP)在內(nèi)的多種高性能、小體積的存儲(chǔ)方案，幫助手機(jī)廠商實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)方案的靈活選擇，助力品牌在消費(fèi)市場(chǎng)形成先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

佰維uMCP/eMCP集成式存儲(chǔ)高集成、小體積，助力智能手機(jī)輕薄化

屏幕、傳感器、處理器、5G等技術(shù)的進(jìn)步驅(qū)動(dòng)智能手機(jī)行業(yè)不斷進(jìn)步，卻影響了電池的續(xù)航能力，加之手機(jī)應(yīng)用自啟動(dòng)會(huì)在后臺(tái)占用系統(tǒng)和硬件資源，進(jìn)一步消耗電量。在實(shí)際生活中，手機(jī)經(jīng)常需要扮演支付工具、通訊工具、攝像工具等多重角色，尤其是在出差、旅行等外出流動(dòng)性場(chǎng)景，電量告急會(huì)帶來(lái)諸多不便，強(qiáng)續(xù)航是酣暢用戶使用體驗(yàn)的必要條件之一。

更高階的娛樂類與生產(chǎn)型工具等APP不斷涌現(xiàn)，多個(gè)應(yīng)用程序并行考驗(yàn)手機(jī)的流暢度，進(jìn)而對(duì)存儲(chǔ)性能提出了更高的要求。同時(shí)，品牌廠商需要通過輕薄機(jī)身來(lái)滿足用戶對(duì)手機(jī)產(chǎn)品便攜性和輕盈手感的追求，存儲(chǔ)器作為手機(jī)的關(guān)鍵器件，必須順應(yīng)智能手機(jī)高性能、低功耗、輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。

此外，手機(jī)軟件與硬件的協(xié)同整合是釋放手機(jī)性能和提升用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵一環(huán)。存儲(chǔ)器需要在確保與手機(jī)軟硬件兼容的基礎(chǔ)上，快速響應(yīng)SoC/處理器的指令，為用戶提供流暢絲滑的使用體驗(yàn)。

依托公司多層疊Die、超薄Die、SiP等先進(jìn)封裝工藝，佰維eMCP、uMCP集成式存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)主控、閃存與內(nèi)存的高效集成，芯片尺寸分別小至11.5mm × 13mm × 0.90mm，11.5mm×13.0mm×1.0mm，大幅節(jié)約PCB空間。例如，佰維存儲(chǔ)uMCP5存儲(chǔ)芯片相較于UFS3.1和LPDDR5分離式的解決方案可節(jié)約55%主板空間，為電池續(xù)航升級(jí)和其他獨(dú)創(chuàng)性設(shè)計(jì)留出空間，助力手機(jī)輕薄化設(shè)計(jì)。

在性能方面，佰維存儲(chǔ)基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲(chǔ)芯片，相較于公司基于LPDDR4X的前代uMCP產(chǎn)品，讀速提升100%至2100MB/s，數(shù)據(jù)傳輸速率從4266Mbps提升50%至6400Mbps，強(qiáng)大性能助力手機(jī)輕松存儲(chǔ)并處理多媒體應(yīng)用產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)，高效支持智能手機(jī)多任務(wù)處理、高清視頻解碼、游戲加載、大文件拷貝等應(yīng)用。 佰維存儲(chǔ)eMCP將高性能主控和NAND Flash晶片合二為一，增強(qiáng)了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，實(shí)現(xiàn)小體積內(nèi)的更高性能與更大容量。以公司eMCP MG系列為例，其順序讀寫速度分別高達(dá)300MB/s、150MB/s，LPDDR支持頻率最高為2133MHz。

佰維eMMC/UFS+LPDDR分離式存儲(chǔ)高性能、低功耗，加速手機(jī)流暢體驗(yàn)

手機(jī)的使用流暢度受到存儲(chǔ)容量和性能的共同影響，當(dāng)手機(jī)存儲(chǔ)器SLC緩存空間不足或讀寫性能存在短板時(shí)，寫入數(shù)據(jù)過慢會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)器無(wú)法快速響應(yīng)SoC/處理器的指令，更無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間的高性能讀寫，手機(jī)可能會(huì)出現(xiàn)卡頓、無(wú)響應(yīng)甚至崩潰的現(xiàn)象。

如果存儲(chǔ)器具備很強(qiáng)的順序讀取性能，就能夠以更快的速度打開和啟動(dòng)APP，減少用戶的等待時(shí)間，大容量、高性能的存儲(chǔ)器是提升手機(jī)產(chǎn)品用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵一環(huán)。

基于存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、自研固件算法等核心技術(shù)，公司UFS、LPDDR產(chǎn)品具有高性能、低功耗等優(yōu)勢(shì)。以公司UFS3.1為例，該產(chǎn)品寫入速度高達(dá)1800MB/s，是前代通用閃存存儲(chǔ)的4倍以上，讀取速度高達(dá)2100MB/s，容量高達(dá)256GB(未來(lái)將推出512GB、1TB容量)，保證多場(chǎng)景下人機(jī)交互類功能的流暢度和切換體驗(yàn)。

同時(shí)，公司可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存儲(chǔ)搭配方案，其中LPDDR5產(chǎn)品相比于LPDDR4，頻率大幅提升，最高達(dá)到6400Mbps，理論傳輸帶寬較前代產(chǎn)品的34GB/s提升至51GB/s，整體性能提升50%;且通過動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié) (DVFS)功能，LPDDR5可在低速工作時(shí)切換至更低電壓，功耗降低30%。

軟硬件融合塑造產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力探索極致用戶體驗(yàn)

如今高端智能手機(jī)大多采用集成CPU 內(nèi)核、GPU、DSP 等模塊與功能的移動(dòng) SoC (System on Chip)平臺(tái)，SoC會(huì)根據(jù)各模塊的分工及相應(yīng)的使用環(huán)境進(jìn)行科學(xué)的調(diào)配 ，SoC內(nèi)部的集成模塊之間、SoC與其他硬件及軟件系統(tǒng)的優(yōu)化與協(xié)同性是決定用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵因素，軟硬件之間的深度融合方能充分發(fā)揮硬件的高性能與軟件的靈活性。 佰維存儲(chǔ)協(xié)同終端客戶一起，展開了SoC平臺(tái)、存儲(chǔ)、系統(tǒng)、應(yīng)用等多方聯(lián)動(dòng)的調(diào)校支持與賦能，洞悉用戶場(chǎng)景并不斷優(yōu)化，致力于提升手機(jī)產(chǎn)品的流暢度，打造終端產(chǎn)品的強(qiáng)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)力。值得一提的是，公司的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已累計(jì)通過高通、聯(lián)發(fā)科、展銳等SoC平臺(tái)超1070個(gè)產(chǎn)品AVL驗(yàn)證，可為客戶提供多品類覆蓋的存儲(chǔ)解決方案，能夠靈活地滿足客戶的多種需求，實(shí)現(xiàn)客制化、高效化的服務(wù)。

結(jié)語(yǔ)：

嵌入式存儲(chǔ)器在構(gòu)建手機(jī)產(chǎn)品力方面發(fā)揮著重要作用，無(wú)論是集成式存儲(chǔ)方案還是分離式存儲(chǔ)方案，佰維面向智能手機(jī)的存儲(chǔ)芯片所具備的高性能、小體積、低功耗等出色特性，有力地支持手機(jī)廠商更好地滿足并引領(lǐng)消費(fèi)者需求。 未來(lái)，佰維存儲(chǔ)堅(jiān)持深化研發(fā)封測(cè)一體化布局，積極加強(qiáng)與生態(tài)伙伴以及終端客戶的緊密協(xié)作，持續(xù)突破創(chuàng)新邊界，提供更加優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品與解決方案，助力智能終端客戶開拓更廣闊的市場(chǎng)。