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智能手機存儲邁入2TB時代

莫七 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2025-10-09 04:09 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)端側(cè)AI帶動智能終端存儲的不斷升級。當(dāng)前,高端智能手機的內(nèi)存已經(jīng)來到24GB,例如一加13、REDMI K70 至尊版、真我GT7、紅魔10 Pro+、ROG游戲手機9 Pro等。大內(nèi)存適合大模型數(shù)據(jù)處理、重度多任務(wù)處理、大型游戲或?qū)I(yè)創(chuàng)作等場景。而存儲方面,此前最高容量為1TB,而前不久蘋果iPhone 17發(fā)布,將存儲容量推向2TB。

蘋果iPhone 17 Pro Max引領(lǐng)2TB

蘋果公司最新發(fā)布的iPhone 17系列包括標(biāo)準(zhǔn)版iPhone 17、全新iPhone Air以及專業(yè)級的iPhone 17 Pro/Pro Max。

其中,iPhone 17標(biāo)準(zhǔn)版搭載蘋果A19處理器,基于3nm工藝打造,配備6核CPU和5核GPU,圖形性能較前代提升20%;史上最薄iPhone Air、iPhone 17 Pro及iPhone 17 Pro Max均搭載A19 Pro處理器,持續(xù)性能將比上一代提升 40%。

存儲配置方面,iPhone 17 標(biāo)準(zhǔn)版提供256GB和512GB,但內(nèi)存仍停留在8GB。不過,iPhone Air、iPhone 17 Pro 和 iPhone 17 Pro Max 均升級配備12GB內(nèi)存,256GB存儲容量起步,iPhone 17 Pro Max新增2TB存儲頂配版本。

值得一提的是,這是蘋果首次在iPhone中搭載12GB內(nèi)存。蘋果自2023年發(fā)布iPhone 15 Pro一直到iPhone 16系列均采用8GB內(nèi)存。

也就是說,此次新機頂配的存儲容量為12GB+2TB。

售價方面,iPhone 17 Pro首發(fā)售價,256GB售價8,999元,512GB售價10,999元,1TB售價12,999元;iPhone 17 Pro Max 首發(fā)售價,256GB售價9,999元,512GB售價11,999元,1TB售價13,999元,新增加的2TB版本售價17,999元。

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由此可以看到,同樣是iPhone 17 Pro Max,2TB版本比1TB版本售價高出整整4000元。

信息顯示,為應(yīng)對成本壓力,蘋果已將 iPhone 17系列存儲器件供應(yīng)商數(shù)量增加至五家,包括三星電子、SK 海力士、鎧俠、美光及閃迪。在 DRAM 供應(yīng)方面,三星電子獲得了 37% 的訂單份額,位居第一;SK 海力士占比 33%,美光則占 30%。NAND Flash 部分,鎧俠以 35% 的份額成為最大供應(yīng)商,SK 海力士以30% 位列第二,閃迪占 20%,三星電子占 15%。

2TB硬件還不成熟?

近日,OPPO Find 系列產(chǎn)品負(fù)責(zé)人周意保發(fā)文稱,F(xiàn)ind X9 / X9 Pro 新手機續(xù)航確實提升非常顯著,并表示自己最近已經(jīng)改變帶充電寶的習(xí)慣。有用戶詢問是否存在 24GB+1/2TB的規(guī)格版本,周意?;貜?fù)稱:“2T的硬件目前還不成熟,可以考慮先用OPPO云服務(wù),未來2T肯定會閃亮登場的。”

目前來看,蘋果手機率先支持2TB版本,其他廠商有待跟進,多數(shù)仍以1TB為頂格配置。高端手機主要搭載1TB TLC顆粒。也有消息稱手機廠商評估QLC NAND 閃存進入主流高端市場。

QLC是指每單元可存儲4bit信息(4bit/cell)的NAND閃存技術(shù)類型,其與SLC(1bit/cell)、MLC(2bit/cell)、TLC(3bit/cell)相比,在存儲密度、成本上具有明顯優(yōu)勢。QLC NAND具備更高的存儲密度,因此相同容量下成本更低。但QLC在擦寫壽命和性能表現(xiàn)方面相對較弱。

iPhone采用基于PCI-E協(xié)議的NVMe閃存,NVMe通過PCI-E總線直連CPU,減少數(shù)據(jù)傳輸層級,理論延遲更低。安卓旗艦機普遍采用UFS 4.0/4.1技術(shù)。

去年底,鎧俠宣布量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。相比于傳統(tǒng)的TLC UFS有著更高的位密度,使其適用于需要更高存儲容量的移動應(yīng)用程序。

在性能方面,512GB容量的QLC UFS 4.0閃存充分發(fā)揮UFS 4.0接口的高速潛力,實現(xiàn)了驚人的4200MB/s順序讀取速度和3200MB/s的順序?qū)懭胨俣龋瑸橛脩魩砬八从械臄?shù)據(jù)傳輸體驗。

更早前,鎧俠表示UFS 4.0 顆粒有256 GB、512 GB和1 TB三種容量,封裝尺寸為 9 mm x 13 mm,厚度 0.8 mm(256 GB 和 512 GB)或 0.9 mm (1 TB),比目前顆粒尺寸 (18 mm x 11 mm)縮小約13%。

技術(shù)層面,鎧俠將先進的BiCS FLASH 3D NAND閃存與高效的主控芯片集成于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝之內(nèi),不僅支持M-PHY 5.0和UniPro 2.0的最新規(guī)范,還確保了每通道高達(dá)23.2 Gb/s(或每設(shè)備46.4 Gbps)的理論接口速度,同時保持了與UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)的向下兼容性。

此外,QLC UFS 4.0閃存還引入了多項前沿特性,如HS-LSS(高速鏈路啟動序列),該特性相比傳統(tǒng)方法能顯著縮短鏈路啟動時間,提升效率約70%。同時,通過采用高級RPMB技術(shù),實現(xiàn)了對安全數(shù)據(jù)的快速讀寫訪問,進一步增強了數(shù)據(jù)保護能力。

而擴展啟動器ID(Ext-IID)功能的加入,則旨在與UFS 4.0主控的多循環(huán)隊列(MCQ)協(xié)同工作,共同提升系統(tǒng)的隨機性能,確保流暢的用戶體驗。

鎧俠強調(diào),這款QLC UFS 4.0閃存不僅完美適配智能手機和平板電腦,更預(yù)示著其在PC、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實(AR/VR)以及人工智能(AI)設(shè)備等下一代高科技領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用前景,為這些領(lǐng)域帶來更高的存儲容量和卓越的性能提升。

日前,SK海力士宣布,已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產(chǎn)品的客戶驗證。在此基礎(chǔ)上,7月正式進入量產(chǎn)階段,并開始向客戶供應(yīng)。ZUFS(Zoned UFS)是將分區(qū)存儲(Zoned Storage)技術(shù)應(yīng)用于UFS的擴展規(guī)格,可將不同用途和特性的數(shù)據(jù)進行分區(qū)(Zone)存儲。ZUFS作為UFS的擴展規(guī)格,由JEDEC于2023年首次發(fā)布?;贘EDEC發(fā)布的UFS4.1規(guī)格,SK海力士在2025年完成了ZUFS 4.1的開發(fā)。

此產(chǎn)品搭載于智能手機,能夠有效提升操作系統(tǒng)的運行速度和數(shù)據(jù)管理效率?;谶@一優(yōu)勢,長期使用所導(dǎo)致的讀取性能下降問題可改善超過4倍,而應(yīng)用程序的運行時間相較傳統(tǒng)UFS縮短了45%。此外,在數(shù)據(jù)存儲方式上,傳統(tǒng)UFS采用新數(shù)據(jù)覆蓋舊數(shù)據(jù)的存儲方式,而該產(chǎn)品則采用順序?qū)懭敕绞?,從而使得AI應(yīng)用程序的運行時間縮短了47%。

而在主控芯片方面,慧榮科技推出UFS 4.0主控SM2756,采用6nm工藝制造,MIPI M-PHY 低功耗架構(gòu),平衡高性能和能效,SM2756 的連續(xù)讀取性能超過4300 MB/s,連續(xù)寫入速度超過 4000 MB/s,支持最廣泛的3D TLC和QLC NAND閃存,密度高達(dá)2 TB。面向AI智能手機、邊緣計算和汽車應(yīng)用,滿足當(dāng)今高端和人工智能移動設(shè)備的全天候計算需求。

或許是基于存儲顆粒性能以及嵌入式存儲體積等因素的考慮,當(dāng)前多數(shù)手機廠商尚未將頂配升級至2TB。而在iPhone17 Pro Max拆解中提到,主板上預(yù)留硬盤位置,最大可以擴容到2TB,為用戶提供充足的存儲空間。

小結(jié):

無論是輕量化的大模型進行參數(shù)文件的存儲,還是生成式AI帶動的圖像生成、視頻處理等,都對在本地保存模型數(shù)據(jù)和素材等存儲容量提出進一步需求。因此,智能手機存儲容量從1TB邁向2TB將是必然趨勢,而如何實現(xiàn)2TB的高性存儲,相信接下來會有更加成熟可靠的方案。





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