FeRAM是非易失性存儲器，具有較高的讀/寫耐久性和快速的寫入特征，因此在汽車和工業(yè)領域有廣泛的應用需求。

• 在汽車領域，F(xiàn)eRAM可以用于存儲各種傳感器帶來的數(shù)據(jù)，如車載信息娛樂系統(tǒng)中的GPS等數(shù)據(jù)，記錄安全氣囊的數(shù)據(jù)；在電池管理系統(tǒng)中記錄電池單元的電壓，溫度和電流等數(shù)據(jù)，監(jiān)控電池的短期和長期性能狀態(tài)；在胎壓監(jiān)測系統(tǒng)中實時記錄輪胎壓力。此外，F(xiàn)eRAM還可以用于新能源汽車的電池管理系統(tǒng)BMS中。

• 在工業(yè)領域，F(xiàn)eRAM可以用于各種需要高耐久性、高讀寫速度和低功耗的應用，如表計、醫(yī)療設備、呼吸機、汽車電子和游戲機等。

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司的2Mbit FeRAM MB85RS2MTY自發(fā)布以來，在汽車和工業(yè)設備中廣受好評，而升級版產品MB85RS4MTY的密度翻了一番，達到4Mbit，以滿足對更大密度的需求，并具有SPI接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作。MB85RS4MTY具有低工作電流，例如最大有功電流為4mA（工作頻率為50MHz），即使在30°C的高溫下也具有125μA的最大關斷電流，因此有助于降低環(huán)保應用的功耗。

MB85RS4MTY 8引腳DFN（頂部?底部）

適合FeRAM的應用示例

MB85RS4MTY在-40℃至+125℃的溫度范圍內可保證10萬億次的讀寫周期次數(shù)。這種特性非常適合一些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用。例如，即使每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，也可以在同一地址記錄數(shù)據(jù)長達10年。

MB85RS4MTY采用8引腳SOP封裝，易于替代具有相似尺寸的現(xiàn)有EEPROM。此外，該產品還提供8引腳DFN（雙扁平無引腳）封裝。

MB85RS4MTY關鍵技術指標

關于富士通半導體存儲器解決方案有限公司

富士通半導體存儲器解決方案有限公司（原富士通半導體存儲事業(yè)部）成立于2020年3月，可為客戶提供存儲器產品和各種解決方案，主要是基于鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），這是一種高質量、高可靠性的非易失性存儲器。作為下一代存儲器，富士通半導體存儲器解決方案已經開始批量生產ReRAM（電阻式隨機存取存儲器），它在讀取數(shù)據(jù)時需要更少的功率，是小型可穿戴設備的理想選擇，同時還在開發(fā)以碳納米管為材料的非易失性存儲器（NRAM）。更多詳情請訪問：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/feram/。

關于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業(yè)務自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優(yōu)質產品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司，負責統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務。加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務，專用標準產品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請訪問：https://www.kagafei.com.cn。

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