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基于PWM控制的DSD直流-直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計

CHANBAEK ? 來源:功率和混合信號集成電路 ? 作者: PMIC ? 2023-12-03 15:35 ? 次閱讀
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中國科大國家示范性微電子學院程林教授課題組在DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計領(lǐng)域取得重要成果,研究者設(shè)計了一款快速瞬態(tài)響應(yīng)高壓大轉(zhuǎn)換比DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片。該研究成果已發(fā)表在2022年IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC),并受邀以“A 12V/24V-to-1V PWM-Controlled DSD Converter With Delay-Insensitive and Dual-Phase Charging Techniques for Fast Transient Responses”為題發(fā)表在集成電路設(shè)計領(lǐng)域頂級期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits(JSSC)上。

01研究背景

近年來,隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、自動駕駛等新興技術(shù)的迅猛發(fā)展,數(shù)據(jù)計算量呈現(xiàn)爆炸性增長,由此帶來的能耗急劇攀升。為提供更高的供電功率,降低走線損耗,采用高壓輸電方案成為近年來的發(fā)展趨勢。同時,隨著先進工藝的發(fā)展,終端負載具有低電壓(<1V)、大電流(>25000A)的特點,為實現(xiàn)供電系統(tǒng)小型化,高壓大轉(zhuǎn)換比DC-DC轉(zhuǎn)換器成為近年來的研究熱點。與傳統(tǒng)多級降壓結(jié)構(gòu)相比,高壓大轉(zhuǎn)換比DC-DC轉(zhuǎn)換器有著以下優(yōu)點:顯著減少電源管理芯片及片外元件數(shù)量,大幅縮小供電系統(tǒng)體積,綜合轉(zhuǎn)換效率取決于單級結(jié)構(gòu)。此外,終端負載還具有電流動態(tài)變化快(1000A/μs)的特點,要求DC-DC轉(zhuǎn)換器在寬動態(tài)范圍內(nèi)具備快速響應(yīng)能力。為此,中國科學技術(shù)大學程林教授團隊設(shè)計了一款基于PWM控制的快速瞬態(tài)響應(yīng)高壓大轉(zhuǎn)換比DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片。

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圖1 高壓大轉(zhuǎn)化比DC-DC轉(zhuǎn)換器

02基于PWM控制的DSD直流-直流轉(zhuǎn)換器

傳統(tǒng)的半橋DC-DC轉(zhuǎn)換器因其結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點被廣泛應(yīng)用,但在高輸入電壓、低輸出電壓的應(yīng)用場景下,由于功率管極短的導通時間使其控制器驅(qū)動電路的設(shè)計極具挑戰(zhàn),且高耐壓器件會產(chǎn)生嚴重的損耗。為提高DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率,高壓大轉(zhuǎn)換比混合拓撲結(jié)構(gòu)成為近年來的研究熱點。兩相串聯(lián)電容式(Double step-down,DSD) DC-DC轉(zhuǎn)換器作為一種適合高壓大轉(zhuǎn)換比應(yīng)用的拓撲結(jié)構(gòu)近幾年來被廣泛研究。

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圖2 DSD拓撲結(jié)構(gòu)工作狀態(tài)圖

工作原理如圖2所示,電路工作在4個開關(guān)狀態(tài)。在狀態(tài)Ⅰ(Ⅲ)中,高邊功率管SAH(SBH)導通,串聯(lián)電容CF被充電(放電),同時通過電感L1(L2)對輸出電容COUT充電。在穩(wěn)態(tài)時,串聯(lián)電容CF兩端電壓自動平衡至VIN /2,因此,開關(guān)節(jié)點VSW1和VSW2的最高電壓從VIN降低至VIN /2,低邊功率管SAL和SBL可選擇低耐壓功率管,以減小功率管損耗。此外,DSD轉(zhuǎn)換器的高邊功率管SAH和SBH的導通時間加倍,利于電路設(shè)計。盡管DSD拓撲結(jié)構(gòu)有以上優(yōu)勢,但控制其實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)仍具有很多挑戰(zhàn)。如圖3所示,為避免功率管SBL被擊穿,功率管SAH和SBH不能同時導通,這要求DSD轉(zhuǎn)換器兩相的導通時間不能交疊、兩相控制信號的占空比小于50%。此外,為降低輸出電壓紋波,要求兩相控制信號具有180°相移。

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圖3 DSD拓撲結(jié)構(gòu)控制器設(shè)計挑戰(zhàn) (a)兩相非交疊;(b)兩相具有180°相移

針對以上DSD結(jié)構(gòu)的控制要求,本研究基于DSD拓撲結(jié)構(gòu),提出了雙反饋環(huán)路的PWM控制方法,實現(xiàn)對輸出電壓和串聯(lián)電容電壓的調(diào)制。如圖4所示,Phase 1環(huán)路用于調(diào)節(jié)輸出電壓,且允許該相控制信號占空比大于50%,從而實現(xiàn)快速的瞬態(tài)響應(yīng);Phase 2環(huán)路用于調(diào)節(jié)串聯(lián)電容電壓,補償兩相功率路徑上的失配,將串聯(lián)電容CF電壓調(diào)節(jié)平衡至VIN /2,實現(xiàn)兩相電感電流平衡,降低輸出電壓紋波。圖5所示測試結(jié)果表明,本研究基于PWM控制的DSD轉(zhuǎn)換器在不同輸入電壓、輸出電流下,串聯(lián)電容可實現(xiàn)很好的平衡且輸出電壓紋波較小。

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圖4 本研究提出的電路架構(gòu)和芯片照片

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圖5 本研究基于PWM控制的DSD轉(zhuǎn)換器穩(wěn)態(tài)測試波形

03任意時刻快速瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)

對于傳統(tǒng)的PWM控制DC-DC轉(zhuǎn)換器(參考圖6),當PWM為高電平時負載發(fā)生跳變,PWM信號的占空比會立即擴展,實現(xiàn)快速負載瞬態(tài)響應(yīng),而當PWM為低電平的時候發(fā)生負載瞬態(tài)跳變,由于控制器中的SR鎖存器,PWM信號的占空比無法在當前周期實現(xiàn)占空比擴展,需等待至下個時鐘周期,瞬態(tài)響應(yīng)速度慢。綜上所述,負載瞬態(tài)跳變發(fā)生的時刻不同,PWM信號占空比擴展的幅度不同,單周期內(nèi)電感L對電容C的充電時間不一致,導致負載瞬態(tài)響應(yīng)速度與負載跳變的時刻有關(guān),無法實現(xiàn)任意時刻的快速負載瞬態(tài)響應(yīng)。

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圖6 傳統(tǒng)PWM控制的DC-DC轉(zhuǎn)換器

針對該問題,如圖7所示,該研究提出了任意時刻負載快速瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)。基于DDA 的Type-III補償器的瞬態(tài)檢測電路,利用Vea與Vgm+Vos比較判斷是否發(fā)生瞬態(tài)跳變,當發(fā)生負載瞬態(tài)跳變時,瞬態(tài)檢測電路輸出高電平,將其插入到周期時鐘信號,PWM控制器立刻擴展PWM信號占空比,實現(xiàn)快速負載瞬態(tài)響應(yīng)。如圖8所示測試結(jié)果表明,該技術(shù)克服了傳統(tǒng)PWM控制方法存在的環(huán)路響應(yīng)速度與負載跳變時刻有關(guān)的缺點,實現(xiàn)任意時刻負載快速瞬態(tài)響應(yīng)。

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圖7 本研究提出的任意時刻快速瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)

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圖8 有無任意時刻快速瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)測試波形

04基于DSD拓撲的兩相充電瞬態(tài)增強技術(shù)

盡管DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制器可以被優(yōu)化實現(xiàn)最優(yōu)的瞬態(tài)響應(yīng),但響應(yīng)速度仍受限于電感電流斜率。為進一步提高瞬態(tài)響應(yīng)速度,常見的方法有三種[1]: (a) 提高DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)頻率,選取更小尺寸的濾波電感,提高電感電流斜率,然而更高的開關(guān)頻率帶來更大的開關(guān)損耗,惡化轉(zhuǎn)換效率;(b) 利用多相結(jié)構(gòu),提高等效電感電流斜率,而該方法需要增加額外的電感,增加了片外元件數(shù)量;(c) DC-DC轉(zhuǎn)換器并聯(lián)LDO的混合方案,在瞬態(tài)響應(yīng)時利用LDO為負載電容注入額外的電流來改善瞬態(tài)響應(yīng)。

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圖9 三種克服電感電流斜率限制的瞬態(tài)響應(yīng)增強技術(shù)[1]

高壓大轉(zhuǎn)換比混合拓撲結(jié)構(gòu)一般會有多個電感,但混合拓撲結(jié)構(gòu)的工作原理要求多相電感交替充磁為負載充電,無法利用多相結(jié)構(gòu)同步對負載充電,為了突破該瓶頸,本研究提出了一種基于DSD拓撲結(jié)構(gòu)的兩相充電技術(shù)。當負載發(fā)生瞬態(tài)跳變時,打開功率開關(guān)SCH和SAH利用兩相電感電流同步對負載充電,等效電感電流斜率加倍,極大地提高轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)速度。最終測試結(jié)果表明該工作在3A/20ns的負載跳變下實現(xiàn)了僅0.9μs的恢復時間,與當前同類研究相比,在使用最小輸出電容的前提下取得了最快的負載瞬態(tài)響應(yīng)速度。

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圖10 本研究提出的兩相充電技術(shù)框圖

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圖11 有無本研究提出的兩相充電技術(shù)測試波形

論文第一作者為我校微電子學院博士生劉澤國,程林教授為通訊作者。上述研究得到了國家自然科學基金委、科技部和中科院等項目的資助。

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