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加碼電動汽車充電樁市場,安世半導(dǎo)體推出首款SiCMOSFET

qq876811522 ? 來源:芯通社 ? 2023-12-04 16:49 ? 次閱讀
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隨著電動汽車持續(xù)快速增長,充電樁市場空間正在逐漸打開,產(chǎn)業(yè)鏈巨頭搶先布局。

日前,聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ和80 mΩ。這兩款產(chǎn)品聚焦電動汽車(EV)充電樁等市場,現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。

據(jù)介紹,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。安世半導(dǎo)體指出,這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對高性能SiC MOSFET的需求。

安世半導(dǎo)體高級總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱電機(jī)希望通過這兩款首發(fā)產(chǎn)品為市場帶來真正的創(chuàng)新,這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件,這些器件在多個參數(shù)上都具有一流的性能,例如超高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比,能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問,在未來幾年里,我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展?!?/p>

三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級總經(jīng)理Toru Iwagami表示:“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET,這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專業(yè)知識,我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡?!?/p>

11月13日,安世半導(dǎo)體與三菱電機(jī)共同宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)SiC MOSFET分立產(chǎn)品,標(biāo)志著安世半導(dǎo)體在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。如今,雙方合作的開篇之作NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已批量供貨,安世半導(dǎo)體未來還計劃發(fā)布車規(guī)級 MOSFET。

此外,安世半導(dǎo)體還于11月10日宣布與總部位于奧地利的汽車電子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH將深化現(xiàn)有長期合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新型650V、20ASiC整流器模塊,預(yù)計將于2024年第一季度推出樣品。

值得注意是,該SiC整流器模塊適用于3kW至11kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用,目標(biāo)應(yīng)用也同樣瞄準(zhǔn)了工業(yè)電源、電動汽車(EV)充電站、車載充電器等市場。

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原文標(biāo)題:加碼電動汽車充電樁市場,安世半導(dǎo)體推出首款SiCMOSFET

文章出處:【微信號:汽車半導(dǎo)體情報局,微信公眾號:汽車半導(dǎo)體情報局】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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