12 月 14 日，據報道，臺積電在近期的美國電氣及電子工程師協(xié)會（IEEE） IEDM 研討會上宣布其 1.4nm 級別的工藝研發(fā)已全面啟動，并再次確認了 2nm 級別的量產計劃將于 2025 年如期實施。

SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關于該節(jié)點的具體量產日期及參數暫未公開。但是，根據其與N2及N2P等節(jié)點的生產排期預測，我們預期A14節(jié)點將會在2027至2028年度面市。

至于技術層面，臺積電此次并未選擇垂直堆疊互補場效晶體管（CFET）技術，而是繼續(xù)對當前的環(huán)繞柵極場效應晶體管（GAAFET）做深入研究。因此，A14很有可能繼續(xù)使用像N2節(jié)點這樣的二代或三代GAAFET技術。

值得提到的是，N2及A14等先進節(jié)點需要系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化，才能夠實現(xiàn)新的性能、功耗及功能指標。

目前還無法確定臺積電能否在2027至2028年內采取單價更高的High-NA EUV光刻技術用于A14制程。雖然屆時英特爾及其他潛在的芯片制造商均可能使用并完善數值孔徑為0.55的EUV光刻設備，這無疑會使臺積電的使用更加便捷。然而，由于此類高數值孔徑的EUV技術會導致掩模尺寸縮減，使得設計和制造過程面臨新的挑戰(zhàn)。

需強調的是，盡管從現(xiàn)在展望未來幾年，未來充滿變數，無法做出過于武斷的猜測。但毫無疑問的是，臺積電的科研團隊正全力以赴地投入到新世代生產節(jié)點的研發(fā)中去。