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USB脫落失效分析

新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 來(lái)源: 新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 作者: 新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 2023-12-18 09:56 ? 次閱讀
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一、案例背景

PCBA組裝完成后,測(cè)試過(guò)程中插入USB時(shí)脫落。

#1-3為PCBA樣品,#4-5為USB單品。

二、分析過(guò)程

#1樣品PCB側(cè)剝離面特征分析

1)外觀分析


wKgZomV_pq2AOZ0SAABlMjZISHI476.jpg

wKgaomV_pq2AKcfMAABwlVM3PyM866.jpg

測(cè)試結(jié)果:焊接面有較大的焊錫空洞。

2)SEM表面特征分析

#位置3:

wKgZomV_pq2AbMrsAAd_O4v7QQg077.pngwKgZomV_omqAEfm5AAMHrGIFuqc306.pngwKgaomV_olSAE83AAAOoNdgUhuk775.png

測(cè)試結(jié)果:剝離面有應(yīng)力斷裂痕跡,PCB鎳層有裂紋。


#位置2:

wKgaomV_pq2AWBcfAAEaWLHbPeo617.jpgwKgZomV_pq6AdSrGAADl_K78esw746.jpg

測(cè)試結(jié)果:焊接面有較大的焊錫空洞,斷裂面有應(yīng)力斷裂痕跡。


3)EDS成分分析


wKgaomV_pq6AZP_TAALZK5-0uTA084.png

wKgZomV_pq6ATkxDAAGCkYWdShU589.pngwKgaomV_pq6AOYdrAAF1OrTgOgo360.png

測(cè)試結(jié)果:剝離面主要成分為Sn、Ni, 未發(fā)現(xiàn)異常元素。

4)切片斷面分析

#PCB側(cè)脫落點(diǎn)切片斷面分析:

wKgZomV_pq6AMMGBAABo_KtX30Y090.jpgwKgaomV_pq-AY9U_AACBAFS-v60874.jpg

#USB側(cè)脫落點(diǎn)切片斷面分析:

wKgZomV_pq-AGcqBAABqnpKqvHc395.jpgwKgaomV_pq-AVW0DAABvBFqP-cY295.jpg

測(cè)試結(jié)果:通過(guò)切片斷面分析發(fā)現(xiàn),PCB內(nèi)層斷裂,呈應(yīng)力齒紋狀,為明顯的應(yīng)力損傷;USB端子側(cè)斷裂,剝離面殘留的IMC厚度1.51μm,連續(xù)、致密。


#1樣品端子側(cè)剝離面特征分析

1)外觀分析

wKgZomV_prCAeGe6AADwBtNn-x0678.jpgwKgaomV_prCAOrI7AACevX5veOs258.jpgwKgaomV_prCAOrI7AACevX5veOs258.jpg

測(cè)試結(jié)果:部分表面有焊錫殘留,有應(yīng)力齒紋痕跡。

2)SEM表面特征分析

wKgZomV_prCAIiihAAH2J1U9fIU233.pngwKgaomV_prGAHfuzAAFAoaIE8nY827.jpg

wKgZomV_prKAZbMAAADO4otxr-w549.jpg

測(cè)試結(jié)果:表面部分位置有焊錫殘留,焊錫表面有裂紋,為應(yīng)力損傷痕跡。

3)EDS成分分析

wKgaomV_prKACIuyAALyf60Gd3c342.pngwKgZomV_prKALnntAACoj5CbZGU793.jpgwKgZomV_prOADNZ_AACYohzwiwc668.jpg

測(cè)試結(jié)果:剝離面主要成分為Sn、Ni, 未發(fā)現(xiàn)異常元素。

#2樣品特征分析

1)外觀分析

wKgaomV_prOAW99VAADg7DcpLpY679.jpgwKgZomV_prOAQclTAADVHu77ETg232.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳邊緣潤(rùn)濕性差。

2)X-RAY分析

wKgaomV_prOAQ512AAF6mpyUayE112.png

wKgZomV_prSAaO2ZAABGjgZgAhw903.jpgwKgaomV_prSAGpTYAABQq9a_Coc456.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳有較大的焊錫空洞,空洞率約60%。

4)切片斷面分析

wKgZomV_prSALORGAACBnoSZESk447.jpgwKgaomV_prSARmdcAADCCos5ZLc623.jpgwKgZomV_prWAMUFlAAD-Pvtkfug866.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳底部潤(rùn)濕良好,兩側(cè)IMC厚度均在1μm以上。


#3樣品特征分析

1)外觀分析

wKgaomV_prWALkuxAADfrFLCe4I682.jpg

wKgZomV_praAC-4fAADA21RXRCg966.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳邊緣潤(rùn)濕良好。


2)X-RAY分析

wKgaomV_preAdD4WAABKBt2bSMQ355.jpg

wKgZomV_preAMsOZAACGVUdcTHo828.jpg

wKgaomV_preAIy-PAACEpGW_5QM967.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳有焊錫空洞。


3)切片斷面分析

wKgZomV_preADxt-AABsmC0QDNg460.jpg

wKgaomV_priARrVTAADBFDZEopU359.jpg

wKgZomV_priAQwV9AAFJIbhLdEM754.jpg

測(cè)試結(jié)果:引腳底部潤(rùn)濕良好,兩側(cè)IMC厚度均在0.9μm以上。


#4樣品未使用端子的分析

1)外觀分析

wKgaomV_priAEj3bAAB_P-4p6Pw352.jpgwKgZomV_priAGiDSAACCiJ9lGYw814.jpg

2)SEM表面特征分析

wKgZomV_prmASyUFAACEQMUIGJM539.jpg

wKgaomV_prmARNtRAACL27voqBM343.jpg


3)EDS成分分析

wKgZomV_prmAQ2LLAAGg_Be5Tn4099.pngwKgaomV_prqAWAxGAACaXG_teZY090.jpgwKgaomV_prqAWAxGAACaXG_teZY090.jpg

測(cè)試結(jié)果:#4 USB引腳焊接外,未發(fā)現(xiàn)明顯異常,鍍層主要成分為Ni,未發(fā)現(xiàn)異常元素


#5樣品未使用端子的分析

1)外觀分析

wKgZomV_prqAV5eKAACGbTP2igg982.jpg

wKgaomV_prqAaPovAACKfNeSwnA483.jpg

2)SEM表面特征分析

wKgZomV_prqAUWb8AAB1-Xw_7cg873.jpg

wKgaomV_prqAdthqAACDsnwKyks893.jpg

3)EDS成分分析

wKgZomV_pruARdhmAAFsZgdasXU803.png

wKgaomV_pruAUD39AACfXV6IwrA595.jpg

測(cè)試結(jié)果:#5USB引腳焊接外,未發(fā)現(xiàn)明顯異常,鍍層主要成分為Ni,未發(fā)現(xiàn)異常元素。


三、分析結(jié)果

不良解析

1、端子脫落剝離面特征:從切片斷面及成分可以判斷,端子脫落點(diǎn)在USB端子側(cè)IMC層,PCB內(nèi)層有明顯的齒紋狀裂紋,為應(yīng)力損傷。


2、針對(duì)脫落的的端子分析:引腳部分位置有焊錫殘留,其表面焊錫有裂紋,有應(yīng)力損傷痕跡。


3.針對(duì)未脫落端子的切片分析:USB引腳邊緣焊接潤(rùn)濕性差,有較大的焊錫空洞,PCB側(cè)與端子側(cè)IMC厚度均在1μm以上,從微觀上分析焊接狀態(tài)良好。


wKgZomV_pruAJimxAABAdvjWGAw892.jpgPCB齒紋狀裂紋

wKgaomV_pruAFfxDAAAtG4Muadk820.jpg引腳焊錫空洞(約60%)


分析結(jié)論

綜上所述,端子脫落失效的可能原因如下——


USB引腳有較大的焊錫空洞,焊接強(qiáng)度弱。測(cè)試時(shí)插入U(xiǎn)SB,對(duì)端子產(chǎn)生較大的推力,從而導(dǎo)致脫落。


wKgZomV_pruAQJWHAACuoTqTxNE046.png

騰昕檢測(cè)有話說(shuō):

本篇文章介紹了USB脫落失效分析。如需轉(zhuǎn)載本篇文章,后臺(tái)私信獲取授權(quán)即可。若未經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)載,我們將依法維護(hù)法定權(quán)利。原創(chuàng)不易,感謝支持!

騰昕檢測(cè)將繼續(xù)分享關(guān)于PCB/PCBA、汽車(chē)電子及相關(guān)電子元器件失效分析、可靠性評(píng)價(jià)、真?zhèn)舞b別等方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí),點(diǎn)擊關(guān)注獲取更多知識(shí)分享與資訊信息。

審核編輯 黃宇

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