在半導體器件檢測中，芯片失效分析一直是工程師關(guān)注的重點。尤其是 IGBT失效分析，因為它直接關(guān)系到功率器件的壽命與可靠性。本文分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點。

一、樣品背景

本次我們測試的對象是一顆 表面灌注硅凝膠的 IGBT 模組?？蛻粢筮M行 C-GE 測試（集電極 C 接正極，柵極 G 與發(fā)射極 E 短接為負極），電壓最大允許達到 700V，同時電流需盡量控制在 80μA 以內(nèi)。這類條件在功率器件失效分析中還是比較常見的。

二、IV 測試驗證
由于客戶未明確告知樣品的電性狀態(tài)，僅提示可承受最高 700V，因此致晟光電失效分析測試工程師首先選擇 低電壓范圍（0~200V） 進行 IV 曲線掃描，避免樣品短路風險。

致晟光電IV 0~200V@0.08mA

根據(jù)IV 測試結(jié)果來看，當電壓升至 約 55V 時，電流就已達到 80μA，表現(xiàn)出明顯的 漏電狀態(tài)這意味著無需施加更高電壓，僅在 200V 以下 就能判斷出其失效特征。

三、熱點成像分析
由于表面覆蓋硅凝膠，紅外成像最初較為模糊。但在經(jīng)過調(diào)試優(yōu)化后，芯片分布依然可以清晰呈現(xiàn)。隨著測試推進，我們獲得了以下熱點結(jié)果：

致晟光電 0.2倍相位合成圖/0.2 倍鏡頭下：熱點集中在 IGBT 芯片終端環(huán)。 0.8 倍鏡頭放大后：熱點位置更為聚焦。 3 倍鏡頭進一步觀察：熱點幾乎完全鎖定在終端環(huán)處。

最終結(jié)論：該 IGBT 模組的失效點位于 芯片終端環(huán)區(qū)域。

四、總結(jié)
通過 IV 曲線驗證 與 紅外熱點成像 的結(jié)合，我們不僅快速確認了器件的漏電特征，還精準定位了失效點。本案例也再次證明了：低電壓預(yù)判+多倍率紅外成像 是功率器件失效分析中非常高效的手段。

寫在最后
很多工程師在調(diào)試 IGBT 時，可能也遇到過“電壓沒上去，電流先失控”的情況。你們在實際測試中，會優(yōu)先采用 高壓直測，還是像致晟光電失效分析測試工程師們這樣先做低電壓預(yù)判 呢？歡迎各位大佬在評論區(qū)交流你的經(jīng)驗~要是對我們致晟光電thermal emmi設(shè)備感興趣的話，也可以訪問我們門戶網(wǎng)站～

審核編輯 黃宇