2023年12月，三星電子首席執(zhí)行官李在镕陪同韓國總統(tǒng)尹錫悅訪問荷蘭，與ASML簽訂重要商業(yè)協(xié)議。雙方?jīng)Q定共投一萬億韓元（約合7.62億美元），在韓國設(shè)立研發(fā)中心，研發(fā)EUV光刻技術(shù)。作為協(xié)議的關(guān)鍵部分，三星將率先獲取新一代High-NA EUV光刻儀。

現(xiàn)時，ASML是全球唯一的EUV***制造商，這臺設(shè)備主要應(yīng)用于生產(chǎn)7nm及以下制程芯片。目前，ASML年產(chǎn)此類設(shè)備數(shù)量有限，供不應(yīng)求。李在镕本次來訪韓國主要是與ASML商討優(yōu)先供應(yīng)事宜。

三星已獲High-NA EUV***優(yōu)先供應(yīng)權(quán)，期望以此為契機(jī)，提升DRAM及邏輯芯片領(lǐng)域High-NA技術(shù)的運(yùn)用效率。在位于韓國京畿道東灘的芯片研發(fā)中心，來自ASML和三星的工程師們將攜手合作，進(jìn)一步推進(jìn)EUV芯片制造技術(shù)。此次協(xié)議不僅是采購2nm芯片制造設(shè)備，更旨在和ASML展開深度合作，充分發(fā)揮新型設(shè)備的潛力。

據(jù)了解，ASML預(yù)計2024年將推出10臺2nm芯片制造設(shè)備，其中已有6臺被英特爾預(yù)定。新款High-NA EUV***聚光能力從0.33升級到0.55，將實(shí)現(xiàn)更精密的曝光圖案，助力2nm節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。未來幾年，ASML期待將這種新設(shè)備年產(chǎn)量提升至20臺。

在順利引進(jìn)ASML新款***后，三星計劃于2025年底量產(chǎn)出貨2nm芯片。然而，據(jù)第三方分析，此計劃或因市場情況和生產(chǎn)質(zhì)量等因素有所推遲。

值得注意的是，數(shù)年前高通選擇三星代工驍龍888、驍龍8 Gen1芯片，采用5nm、4nm制程工藝。然而，因三星工藝問題導(dǎo)致芯片過熱，高通最終轉(zhuǎn)向臺積電生產(chǎn)。近期有消息顯示，第五代驍龍8有望重回三星代工，并將采用2nm工藝。與此同時，臺積電、三星、英特爾在2nm制程上積極布局，力圖爭奪市場訂單份額。