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IGBT是由4個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過(guò)施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 柵極的電壓進(jìn)行控制。雖然第三代寬禁帶技術(shù)碳化硅正獲得越來(lái)越多的關(guān)注，但許多應(yīng)用仍適合繼續(xù)使用IGBT， 在技術(shù)的不斷發(fā)展和升級(jí)下，IGBT可實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的功率密度。

全新第7代1200V IGBT

安森美(onsemi)推出的超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一起來(lái)看看吧~

全新FS7 S系列采用新穎的場(chǎng)截止第7代IGBT和二極管技術(shù)，集成一個(gè)經(jīng)優(yōu)化的二極管以實(shí)現(xiàn)低VF 、微調(diào)的開(kāi)關(guān)軟度，可在高達(dá)175°C的結(jié)溫 (T_J) 下工作。FGY140T120SWD在市場(chǎng)上現(xiàn)有的1200V IGBT中具有領(lǐng)先的開(kāi)關(guān)性能。

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儲(chǔ)能系統(tǒng)方案

電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。

了解電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和考慮因素、常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及選擇最適合您要求的電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件的技巧。

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首次精確仿真

Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開(kāi)發(fā)周期的早期階段，通過(guò)對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真，獲得有價(jià)值的參考信息。

Elite Power仿真工具通過(guò)引領(lǐng)業(yè)界的PLECS模型推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展，這些模型適用于DC-DC LLC和CLLC諧振、雙有源橋和相移全橋等硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

?創(chuàng)新SiC仿真掃碼開(kāi)始仿真

150V N溝道MOSFET

屏蔽柵PowerTrench

安森美屏蔽柵 PowerTrench MOSFET將導(dǎo)通電阻降至盡可能低，并通過(guò)領(lǐng)先的軟體二極管保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。與其他MOSFET相比，這些MOSFET的Q_rr更低。

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IGBT模塊A-Type NPC

1000V, 800A IGBT

NXH800A100L4Q2包含一個(gè)A-Type NPC級(jí)，集成1000V FS4 IGBT、1000V極快二極管和一個(gè)NTC熱敏電阻。

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