chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-07-29 09:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者

wKgZO2iIKqKANIB6AB6w8Lqtyno692.png ? ?

一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(直擊客戶痛點)

極致能效,成本銳減

導(dǎo)通損耗降低57%:15mΩ超低導(dǎo)通電阻(25℃),高溫175℃時僅28mΩ,較IGBT大幅減少發(fā)熱。

開關(guān)頻率提升5倍:支持100kHz高頻開關(guān)(IGBT僅20kHz),設(shè)備體積縮小40%,功率密度翻倍。

整機效率98.68%仿真數(shù)據(jù)):20kW焊機應(yīng)用中,較IGBT方案(97.10%)年省電費超萬元。

軍工級可靠性

175℃高溫穩(wěn)定運行:采用車規(guī)級設(shè)計,高溫漏電流<2.5μA(行業(yè)平均>5μA)。

擊穿電壓裕量30%:1600V耐壓(標(biāo)稱1200V),應(yīng)對電網(wǎng)波動更安全。

AMB陶瓷基板+高溫焊料:熱循環(huán)壽命提升3倍,故障率降低50%。

二、實測性能碾壓競品(數(shù)據(jù)說話)

場景BMF80R12RA3 (SiC)1200V 100A IGBT優(yōu)勢20kW焊機H橋損耗266.72W (80kHz)596.6W (20kHz)損耗降低55%開關(guān)損耗48.2mJ (100kHz)64.26mJ (20kHz)高頻下仍低25%體二極管恢復(fù)Qrr=0.53μC (150℃)典型值>2μC反向損耗減少70%

客戶價值:相同功率下,散熱器成本降低30%,設(shè)備壽命延長2年。

三、一站式驅(qū)動方案(解決設(shè)計難題)

傾佳電子提供 “模塊+驅(qū)動”交鑰匙方案

驅(qū)動板BSRD-2427:峰值電流10A,集成米勒鉗位功能,徹底解決SiC誤開通風(fēng)險。

自研三核組件
? 隔離驅(qū)動芯片BTD5350MCWR(抗干擾強)
? DC-DC電源芯片BTP1521P(6W輸出)
? 變壓器TR-P15DS23-EE13(4W隔離供電)

并聯(lián)支持:獨創(chuàng)“二極管均流技術(shù)”,多管并聯(lián)穩(wěn)定性提升90%。

四、為何選擇SiC?米勒鉗位是關(guān)鍵!

工業(yè)設(shè)備最怕 “直通炸機” ,BMF80R12RA3的解決方案:

實測對比:啟用米勒鉗位后,門極電壓波動從7.3V→2V(800V/40A工況),誤開通風(fēng)險歸零。

獨家驅(qū)動芯片BTD5350M:副邊2V閾值觸發(fā)鉗位,響應(yīng)速度<100ns,為SiC高頻場景量身定制。

五、典型應(yīng)用場景(精準(zhǔn)鎖定客戶)

高端工業(yè)焊機:20kW高頻焊機體積縮小至筆記本大小。

光伏儲能逆變器:100kHz開關(guān)頻率,MPPT效率>99.2%。

超靜音變頻器:40kHz載頻下,電機噪聲下降15dB。

特種電源:電鍍電源紋波<1%,成品良率提升5%。

結(jié)語:傾佳電子——您身邊的SiC解決方案專家

“從模塊選型到驅(qū)動設(shè)計,我們提供 免費PLECS仿真支持 + 48小時樣品送達(dá),助力客戶3周完成SiC方案升級!”
立即行動:聯(lián)系傾佳電子,獲取BMF80R12RA3模塊樣片及《高頻電源SiC升級白皮書》!



審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    631

    瀏覽量

    46745
  • SiC MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    143

    瀏覽量

    6761
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    電子代理之SiC功率模塊產(chǎn)品矩陣及其對電力電子產(chǎn)業(yè)變革的系統(tǒng)級貢獻(xiàn)

    電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,力推BASiC基本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?1144次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>代理之<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>產(chǎn)品矩陣及其對電力<b class='flag-5'>電子</b>產(chǎn)業(yè)變革的系統(tǒng)級貢獻(xiàn)

    電子SVG技術(shù)發(fā)展趨勢與SiC模塊應(yīng)用價值深度研究報告

    設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,
    的頭像 發(fā)表于 11-30 09:58 ?1226次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>SVG技術(shù)發(fā)展趨勢與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>應(yīng)用價值深度研究報告

    電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護(hù)機制深度研究報告

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?2193次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動特性與保護(hù)機制深度研究報告

    電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價值主張

    工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-02 12:20 ?1399次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>全面分析在高<b class='flag-5'>功率</b>工業(yè)變頻器中以<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模塊</b>取代Si IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的價值主張

    電子基于SiC模塊的120kW級聯(lián)SST固態(tài)變壓器功率模塊設(shè)計與拓?fù)浞治?/a>

    電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:50 ?2504次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>的120kW級聯(lián)SST固態(tài)變壓器<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>設(shè)計與拓?fù)浞治? />    </a>
</div>                              <div   id=

    電子商用電磁加熱技術(shù)革命:基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

    電子商用電磁加熱技術(shù)革命:基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:56 ?1191次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>商用電磁加熱技術(shù)<b class='flag-5'>革命</b>:基本半導(dǎo)體34mm <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模塊</b>加速取代傳統(tǒng)IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>

    電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析

    電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:55 ?2807次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>SiC</b>廚房<b class='flag-5'>革命</b>:B3M042140Z <b class='flag-5'>MOSFET</b>取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析

    電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動因

    、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-07 14:57 ?2174次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>推動<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>全面替代IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)動因

    電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面替代

    、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:36 ?2257次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>在電力<b class='flag-5'>電子</b>應(yīng)用中對IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的全面替代

    電子固態(tài)變壓器SST在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用及SiC MOSFET功率模塊的關(guān)鍵作用

    電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-01 18:23 ?4839次閱讀
    <b class='flag-5'>傾</b><b class='flag-5'>佳</b><b class='flag-5'>電子</b>固態(tài)變壓器SST在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用及<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>的關(guān)鍵作用

    引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

    引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 08-25 18:07 ?894次閱讀
    引領(lǐng)<b class='flag-5'>高效能</b>新紀(jì)元:基本半導(dǎo)體 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>模塊</b>,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

    基于SiC碳化硅功率模塊高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?1167次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>高效</b>、高可靠PCS解決方案

    硅基時代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點,IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:24 ?977次閱讀
    硅基<b class='flag-5'>時代</b>的黃昏:為何<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>全面淘汰IGBT?

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——電子
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?1402次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 電子楊茜咬住SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?1200次閱讀
    高頻電鍍電源<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比