憑借自發(fā)光、高效率、低功耗、高集成、高穩(wěn)定性、全天候工作的優(yōu)點(diǎn)，Micro LED被認(rèn)為極有可能成為具有顛覆性和變革性的下一代主流顯示技術(shù)，吸引產(chǎn)業(yè)鏈多家企業(yè)技術(shù)“押注”。

芯片作為Micro LED產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，掌握了Micro LED發(fā)展的重要命脈。

“乾照光電作為LED芯片龍頭廠商之一，已在Micro LED賽道布局多年。但是，當(dāng)前的諸多技術(shù)問題還是制約了Micro LED的發(fā)展速度?！鼻展怆姸麻L金章育在2023年高工LED年會上表示。

目前，國際國內(nèi)各大終端都十分看好micro LED技術(shù)，其應(yīng)用領(lǐng)域可以涵蓋包括頭戴AR/VR微顯示、手表、車載、PID/電視等大屏幕顯示等諸多領(lǐng)域，國內(nèi)電視龍頭海信視像也布局此賽道，在今年實(shí)現(xiàn)了對乾照光電的控股。

乾照光電與海信視像的之間強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，正以“需求”為落腳點(diǎn)加速攻破相關(guān)技術(shù)瓶頸。

事實(shí)上，早在2020年，乾照光電就成立研究院，旨在開發(fā)Mini/Micro LED的相關(guān)技術(shù)，推動Mini/Micro LED技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展，并聯(lián)合產(chǎn)業(yè)界上下游布局Mini/Micro LED技術(shù)的觸角和抓手，為客戶提供Mini/Micro LED解決方案，也作為與客戶協(xié)同開發(fā)相關(guān)技術(shù)的平臺和窗口。

發(fā)展至今，研究院研發(fā)設(shè)備投入總計約1億元，投建百級試產(chǎn)線，研發(fā)人員超50+，匯集海外&臺灣專家以及業(yè)內(nèi)10年以上經(jīng)驗(yàn)者。

據(jù)金章育介紹，目前制約Micro LED技術(shù)大規(guī)模應(yīng)用的主要技術(shù)挑戰(zhàn)主要有Micro LED的光效挑戰(zhàn)、高均勻性和高良率困難、巨量轉(zhuǎn)移良率低成本高、LED適用電流與玻璃基TFT不匹配等四點(diǎn)。

相對來講，上述一、四點(diǎn)是制約手表應(yīng)用快速發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸，而一、二、三點(diǎn)則是制約電視等大尺寸應(yīng)用發(fā)展的技術(shù)瓶頸。所以，一旦企業(yè)的研發(fā)成果能夠解決這些問題，包括手表和電視等應(yīng)用產(chǎn)品將快速落地開花。

針對以上問題，乾照光電研究院開展了相關(guān)研究。

在高光效外延芯片技術(shù)方面，研究緩沖層生長技術(shù)提升晶體質(zhì)量、研究有源層能帶工程技術(shù)，提升輻射復(fù)合效率、研究薄型高反射率DBR工藝和側(cè)壁修復(fù)工藝提升芯片光效；

在巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)方面，研究臨時鍵合工藝和材料，開發(fā)高良率FCOC技術(shù)，以及高良率、高精度、高速度的激光排列技術(shù)、研究不同鍵合材料體系，開發(fā)基于激光的巨量鍵合技術(shù)；

在高良率高精度芯片制程技術(shù)方面，進(jìn)行亞微米級精度芯片制程開發(fā)、研究99.99%以上良率所需的外延芯片制程工藝及設(shè)備要求，達(dá)成良率目標(biāo)；

在微顯示技術(shù)方面，先進(jìn)行Wafer to wafer的晶圓級鍵合，再進(jìn)行半導(dǎo)體制程路線、先制作芯片，再進(jìn)行Chip to wafer的芯片對位鍵合的制程路線；

在檢測和修復(fù)技術(shù)方面，PL+AOI檢測仍舊是目前較通用的方式，COC/COG的修復(fù)技術(shù)開發(fā)中。

同時還開發(fā)單芯片全彩技術(shù)以及模組制備技術(shù)，其中單芯片全彩技術(shù)能夠通過將RGB三色芯片封裝到一個chiplet中，實(shí)現(xiàn)點(diǎn)測分選，降低巨量轉(zhuǎn)移的良率要求，有效解決行業(yè)難題，加速M(fèi)icro LED技術(shù)的落地。

據(jù)了解，目前乾照光電在Micro LED相關(guān)專利布局100余項(xiàng)，并在2023下半年建成中試線，將引導(dǎo)Micro LED產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

審核編輯：湯梓紅