年度新品一覽

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2023-12-07 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

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2023-10-24LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”

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2023-10-19可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

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2023-07-19EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”

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第三代半導(dǎo)體年度國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)

日前，“2023行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂而來(lái)，共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。該獎(jiǎng)項(xiàng)主要授予在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域擁有一定聲望，取得重要成績(jī)，技術(shù)水平達(dá)到行業(yè)以至國(guó)內(nèi)外先進(jìn)水平，在推動(dòng)行業(yè)發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)推廣等方面做出優(yōu)異成績(jī)或起到引領(lǐng)作用的企業(yè)。羅姆憑借在該領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)獲得殊榮。同時(shí)，今年投入量產(chǎn)的650V耐壓GaN HEMT也獲得了“GaN器件年度最具影響力產(chǎn)品”。

羅姆究竟是怎樣一家企業(yè)？《5分鐘了解羅姆》帶您領(lǐng)略其風(fēng)采！

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影響中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)30年的時(shí)代之光

今年，電子行業(yè)知名學(xué)術(shù)期刊《電子產(chǎn)品世界》發(fā)布“影響中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)30年時(shí)代之光”評(píng)選系列榮譽(yù)。羅姆憑借分流電阻器PSR350斬獲“十大劃時(shí)代半導(dǎo)體獎(jiǎng)（功率器件）”！12W級(jí)額定功率，0.85mm超薄封裝，非常適合車載和工業(yè)設(shè)備的雙面散熱功率模塊！

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產(chǎn)品陣容	PSR350

2023金輯獎(jiǎng)

10月，由蓋世汽車主辦的2023第五屆“金輯獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在上海舉行。羅姆憑借隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”的卓越表現(xiàn)榮獲中國(guó)汽車新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)！該產(chǎn)品助力xEV相關(guān)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化以及減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)，與普通產(chǎn)品相比，在主驅(qū)逆變器、OBC等的隔離電路中，安裝面積可減少約30%！

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產(chǎn)品陣容	BD7F105EFJ-C
	BD7F205EFJ-C

2023年“全球電子成就獎(jiǎng)”

11月，由AspenCore全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評(píng)審委員會(huì)以及來(lái)自亞、美、歐洲的網(wǎng)站用戶群共同評(píng)選出了2023年“全球電子成就獎(jiǎng)” (World Electronics Achievement Awards) ，羅姆的650V耐壓GaN HEMT斬獲”年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)"！該產(chǎn)品于今年投入量產(chǎn)，非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

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產(chǎn)品陣容	GNP1070TC-Z
	GNP1150TCA-Z

2023“芯向亦莊”汽車芯片50強(qiáng)

11月，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo),北京經(jīng)開(kāi)區(qū)管委會(huì)主辦,蓋世汽車承辦,國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持的“芯向亦莊”汽車芯片大賽在北京圓滿落幕。羅姆憑借車載液晶背光用LED驅(qū)動(dòng)器IC“BD94130xxx-M”斬獲"汽車芯片50強(qiáng)"榮譽(yù)稱號(hào),贏得了業(yè)界的高度認(rèn)可。

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產(chǎn)品陣容	BD94130MUF-M
	BD94130EFV-M

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2023汽車創(chuàng)新技術(shù)大獎(jiǎng)

今年，AI汽車制造業(yè)全媒體平臺(tái)連續(xù)第六年開(kāi)展“汽車創(chuàng)新技術(shù)大獎(jiǎng)”評(píng)選活動(dòng)，羅姆憑借第4代SiC MOSFET的市場(chǎng)卓越表現(xiàn)獲得“技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。羅姆于2020年完成開(kāi)發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在改善短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品，目前不僅可供應(yīng)裸芯片，還可供應(yīng)分立封裝的產(chǎn)品。

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