HIGH NA無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。

Trendforce 報(bào)道稱，英特爾將獲得ASML可能于 2024 年發(fā)貨的 10 種HIGH NA 光刻機(jī)中的6 種。三星副董事長 Kyung Kye-hyun 的話說“三星已經(jīng)獲得了HIGH NA 設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)”。這似乎意味著英特爾獲得了最HIGH NA 光刻機(jī)，其次是三星，而且其最近宣布與韓國 ASML 投資 7.55 億美元。

這將使臺(tái)積電處于不同尋常的第三位，與目前在 EUV 領(lǐng)域的主導(dǎo)地位（占全球 EUV 光刻機(jī)的 70%）形成鮮明對(duì)比。

2024 年 ASML 北美銷售額將達(dá)到 3.5 至 40 億美元？

如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個(gè)光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

我們認(rèn)為，ASML 的HIGH NA 帶來的潛在上漲空間并未體現(xiàn)在股價(jià)中，因?yàn)閷?duì)于大多數(shù)人來說，十種光刻機(jī)聽起來有點(diǎn)夸張，但如果能做到這一點(diǎn)，那就意味著強(qiáng)勁的上漲空間。

蔡司是看門人

如果 ASML 確實(shí)在 2024 年交付了 10 種光刻機(jī)，那么這種增長將意味著在 2025 年輕松增加到 15 種或更多光刻機(jī)，并可能在 2026 年增加到 20 種以上。

與常規(guī) EUV 光刻機(jī)一樣，蔡司的鏡頭可用性將再次成為限制因素，因?yàn)镠IGH NA 鏡頭比當(dāng)前已經(jīng)很困難的 EUV 鏡頭復(fù)雜得多。

鑒于 EUV 光源將保持一定程度的不變，并且階段增量實(shí)際上完全取決于鏡頭。

誰會(huì)得到它們？何時(shí)何地？

如果我們假設(shè)英特爾確實(shí)按照建議獲得了前 6 個(gè)HIGH NA 光刻機(jī)，我們可以想象英特爾將至少獲得前兩個(gè)光刻機(jī)，其他光刻機(jī)將在 2024 年前往亞利桑那州或俄亥俄州。

在其他四種光刻機(jī)中，三星可能至少有兩到三種光刻機(jī)，而臺(tái)積電則獲得一到兩種光刻機(jī)。

我們猜測臺(tái)積電可能會(huì)更加努力地推動(dòng)當(dāng)前 EUV 的多重圖案化，而不是立即跳到HIGH NA。

許多業(yè)界人士認(rèn)為，與現(xiàn)有的多圖案 EUV 光刻機(jī)相比，高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)將難以在成本上證明其合理性。時(shí)間會(huì)證明一切。從英特爾的角度來看，他們別無選擇，只能大力推進(jìn)，因?yàn)樗麄冞^去在 EUV 上的緩慢是臺(tái)積電在摩爾定律中超越他們的原因之一。

很明顯，英特爾不希望重蹈最初的 EUV 光刻機(jī)的覆轍，因此很早就向 ASML 承諾獲得一年多前宣布的第一批HIGH NA 光刻機(jī)。

如果HIGH NA 確實(shí)成功，這將是英特爾需要迎頭趕上的“重要一躍”。

如果我們對(duì) 2025 年 15 種光刻機(jī)的猜測靠譜的話，預(yù)計(jì)英特爾、三星和臺(tái)積電之間的份額會(huì)更加均勻，而歐洲 IMEC 的一款光刻機(jī)與 ASML 密切合作，很可能也會(huì)獲得一款用于研發(fā)。

到 2026 年，三大晶圓代工/邏輯制造商之間可能會(huì)出現(xiàn) 20 種光刻機(jī)的情況，很可能會(huì)像最近宣布的那樣為紐約增加一款用于研發(fā)的HIGH NA 光刻機(jī)。

我們預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器制造商在最初幾年不會(huì)采用高數(shù)值孔徑，因?yàn)樗麄儸F(xiàn)在才剛剛開始采用常規(guī) EUV，并且仍落后于 EUV 光刻技術(shù)的代工/邏輯需求 4 到 6 年。

不會(huì)感到驚訝的是，經(jīng)過 3 年的HIGH NA 出貨量，英特爾擁有大部分HIGH NA 光刻機(jī)，就像臺(tái)積電擁有當(dāng)前 EUV 技術(shù)的最大份額一樣。

對(duì)英特爾來說這是一個(gè)重大但必要的賭注

如果英特爾在 2024 年購買 6 個(gè)HIGH NA 光刻機(jī)，則意味著HIGH NA 光刻機(jī)資本支出將達(dá)到 21億至24億美元。這是一個(gè)相當(dāng)大的賭注……但如果它有助于追趕臺(tái)積電，那么這筆錢花得值。別無選擇，因?yàn)槿绻贿@樣做，英特爾就會(huì)落后于臺(tái)積電，如果幸運(yùn)的話，最好的情況是與臺(tái)積電處于同等地位。

高數(shù)值孔徑將比標(biāo)準(zhǔn) EUV 更快投入生產(chǎn)

盡管 EUV 和高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)之間存在顯著差異，但基本概念是相同的。EUV 與 ARF 沉浸式技術(shù)相比并不是巨大的飛躍。芯片制造商將需要盡快讓這些新光刻機(jī)投入使用。他們還必須集中精力在單一圖案HIGH NA 與多圖案標(biāo)準(zhǔn) EUV 上獲得經(jīng)濟(jì)回報(bào)。

這一消息如果屬實(shí)，甚至接近屬實(shí)，對(duì)于 ASML 和英特爾來說都是一個(gè)重大利好。然而，我們還不認(rèn)為這對(duì)臺(tái)積電來說是負(fù)面的，因?yàn)樗麄兛赡茉?EUV 領(lǐng)域總體上保持強(qiáng)勢地位。

假設(shè)生產(chǎn)沒有出現(xiàn)問題，ASML 及其股票可能會(huì)在 2024 年經(jīng)歷HIGH NA EUV 浪潮。

審核編輯：黃飛