EDS是半導(dǎo)體制造中的一個重要過程，戰(zhàn)略性地位于制造步驟和封裝階段之間。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，電子裸片分選（EDS，Electrical Die Sorting）工藝測試晶圓上芯片的電氣特性。這一階段對于確保高產(chǎn)量下的可靠設(shè)備至關(guān)重要。

然而，EDS 是一個復(fù)雜的過程，在生產(chǎn)過程中可能會導(dǎo)致嚴(yán)重的生產(chǎn)速度減慢。

量子技術(shù)，尤其是量子退火方法，在解決組合優(yōu)化問題方面已在各行各業(yè)獲得廣泛應(yīng)用。在

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，可能的工藝組合數(shù)量呈指數(shù)級增長，量子技術(shù)可以找到以前用經(jīng)典計算方法無法實現(xiàn)的最佳解決方案。方案結(jié)合了量子計算技術(shù)和豐富知識和數(shù)據(jù)。

EDS 過程

測試表明，利用率和交付延遲率等關(guān)鍵性能指標(biāo)得到了顯著改善，同時計算時間也縮短了。

什么是EDS (Electrical Die Sorting)？

EDS是半導(dǎo)體制造中的一個重要過程，戰(zhàn)略性地位于制造步驟和封裝階段之間。它的主要目的是通過確保每個芯片在進(jìn)入后續(xù)階段之前符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)來提高半導(dǎo)體良率。EDS 涉及幾個關(guān)鍵步驟。

1 電氣測試和晶圓老化

電氣測試 (ET) 涉及測量集成電路元件的直流電壓和電流特性，以評估標(biāo)稱運行情況。ET 之后，晶圓老化過程會加熱晶圓并使其承受交流和直流電流，以識別缺陷、弱點和潛在問題，從而顯著提高產(chǎn)品可靠性。

2 熱/冷測試

此階段在不同于正常溫度的溫度下測試芯片，以識別有缺陷的芯片?？尚迯?fù)的芯片會被標(biāo)記以供日后修正，確保它們在不同的溫度范圍內(nèi)完美運行。

3 維修/最終測試

在熱/冷測試中被認(rèn)為可修復(fù)的芯片進(jìn)行修復(fù)。最終測試證實了這些修復(fù)的有效性。

4 標(biāo)記

EDS 流程的最后一步涉及標(biāo)記有缺陷的芯片，包括未通過熱/冷測試、修復(fù)不當(dāng)或晶圓上不完整的芯片。有缺陷的芯片被排除在裝配之外，從而節(jié)省了材料、設(shè)備、時間和勞動力。

5 全規(guī)模生產(chǎn)

EDS 對于在晶圓級分揀有缺陷的半導(dǎo)體芯片、解決制造或設(shè)計步驟中的問題以及提高封裝和測試階段的效率至關(guān)重要。通過及早清除有缺陷的芯片，EDS 大大提高了半導(dǎo)體的生產(chǎn)率，而良品率則是一項關(guān)鍵的性能指標(biāo)。

審核編輯：劉清