互通有無擴(kuò)展生態(tài)，英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅功率器件封裝合作
9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。
根據(jù)這份協(xié)議，雙方將成為對方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商，未來客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計與采購的靈活性。
具體而言，羅姆將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺；而英飛凌則將導(dǎo)入羅姆的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開發(fā)兼容封裝。
左：英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer右：羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英
不僅如此，英飛凌與羅姆計劃未來擴(kuò)大合作范圍，這份伙伴關(guān)系將涵蓋采用硅 (Si) 及寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等的功率技術(shù)的更多封裝形式。
來源：IT之家
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