由于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局的變化，日本致力于重獲半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)權(quán)，政府計(jì)劃提供高達(dá)生產(chǎn)設(shè)施投資費(fèi)用50%的資助，以期吸引國(guó)內(nèi)外投資。然而，相較之下，韓國(guó)提供的僅限于稅收優(yōu)惠，因此，韓國(guó)業(yè)界擔(dān)心其半導(dǎo)體生產(chǎn)效率在未來(lái)10年內(nèi)可能會(huì)被日本趕超。

據(jù)報(bào)道，美光公司正在日本廣島興建DRAM工廠，已得到來(lái)自日本政府約39%的投資額補(bǔ)貼，其預(yù)期的成本競(jìng)爭(zhēng)力由提升5%-7%。在半導(dǎo)體設(shè)備投入大量資金的情況下，除了技術(shù)實(shí)力和大規(guī)模生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)外，資金補(bǔ)貼也是一個(gè)有力的競(jìng)爭(zhēng)力因素。美光的目標(biāo)是到2025年在日本實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片“1γ（Gamma）DRAM”的生產(chǎn)。

此舉引發(fā)韓國(guó)業(yè)界憂慮，作為全球DRAM市場(chǎng)份額居次席的美光有能力以日本生產(chǎn)基地威脅韓國(guó)三星、SK海力士。

臺(tái)積電制造公司正在享受日本方面的資助金，其位于熊本縣的首座工廠中41%的設(shè)備投資額已得到援助。根據(jù)分析，日本的資助使該廠的成本競(jìng)爭(zhēng)力提高了10%。日本決定進(jìn)一步提高臺(tái)積電在日本設(shè)立二、三廠的補(bǔ)貼率至50%。此外，日本熊本縣、熊本大學(xué)和九州大學(xué)于12月26日共同簽署協(xié)議，將在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大科研和人才培養(yǎng)力度，為臺(tái)積電生產(chǎn)提供人才保障。據(jù)KAIST電氣電子工學(xué)部教授金正浩指出，如成本差異不斷拉大，同樣能改變這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的局勢(shì)。

日本政府已將半導(dǎo)體列為“特定重要物資”，設(shè)定目標(biāo)在未來(lái)實(shí)現(xiàn)2nm及更為先進(jìn)制程芯片在本土的批量生產(chǎn)。除現(xiàn)金資助外，還為Rapidus、Kioxia等本地企業(yè)提供多層級(jí)的支持。這是一種吸引跨國(guó)企業(yè)和加強(qiáng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)力量的“雙軌戰(zhàn)略”。

反觀韓國(guó)，迄今為止未推出針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)施投資的現(xiàn)金支持政策。盡管2023年3月稅收特例限制法修正案增加了大企業(yè)設(shè)施投資額的稅額減免比例至15%，但這項(xiàng)政策將于2024年12月到期。單從日本的補(bǔ)助金和韓國(guó)的稅收減免政策對(duì)比來(lái)看，美光和臺(tái)積電在韓國(guó)設(shè)廠的吸引力并不高。韓國(guó)的法人稅率、最低限度稅等稅負(fù)較重，因此相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言，其吸引力有所降低。

對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的高層人物來(lái)說(shuō)，“只看數(shù)據(jù)的話，即使是韓國(guó)企業(yè)在日本設(shè)廠也可能更具優(yōu)勢(shì)”，并呼吁韓國(guó)政府應(yīng)在經(jīng)濟(jì)安全上加強(qiáng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持。