近日，韓國科學技術(shù)評估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導體技術(shù)競爭力評估報告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報告顯示，中國半導體技術(shù)已超越韓國，躍居全球第二，僅次于美國，這一結(jié)論與該機構(gòu)2022年的評估結(jié)果形成鮮明對比，標志著全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭格局正發(fā)生深刻變化。

中國在關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面突破

報告數(shù)據(jù)顯示，中國在四大核心半導體技術(shù)領(lǐng)域已實現(xiàn)對韓國的超越。在高密度電阻存儲技術(shù)（ReRAM）方面，中國得分94.1%，高于韓國的90.9%，優(yōu)勢擴大了3.2 個百分點；AI芯片領(lǐng)域，中國以88.3% 的得分領(lǐng)先韓國4.2個百分點，達到84.1%；功率半導體領(lǐng)域，中國得分79.8%，大幅超越韓國的67.5%；下一代高性能傳感技術(shù)方面，中國以 83.9% 的得分高于韓國的81.3%。在先進封裝技術(shù)領(lǐng)域，兩國得分雖同為74.2%，但中國在封裝材料創(chuàng)新與異構(gòu)集成設(shè)計上展現(xiàn)出更強的迭代能力。

韓國在存儲芯片領(lǐng)域優(yōu)勢猶存，但挑戰(zhàn)加劇

盡管三星電子與SK海力士在全球DRAM、NAND及HBM市場仍占據(jù)主導地位，但中國企業(yè)的追趕速度令人矚目。長江存儲232層3D NAND閃存良率突破95%，長鑫存儲DDR5內(nèi)存實現(xiàn)量產(chǎn)，合肥長鑫17nm DRAM 工藝進入風險試產(chǎn)階段。KISTEP報告指出，美國對華技術(shù)限制反而加速了中國存儲芯片的國產(chǎn)化進程，2024年中國存儲芯片自給率同比提升12個百分點至38%，預(yù)計2026年將突破50%。

韓國維持代差優(yōu)勢但面臨壓力

在尖端芯片制造領(lǐng)域，韓國目前仍保持顯著優(yōu)勢。三星電子3nm GAA 工藝良率已達65%，2nm 工藝計劃于2025年下半年試產(chǎn)，其3.3D先進封裝技術(shù)可將生產(chǎn)成本降低22%。相比之下，中國中芯國際N+2工藝（相當于 7nm）量產(chǎn)良率穩(wěn)定在85%以上，但更先進制程仍受制于EUV 光刻機禁運。不過，中國在芯片設(shè)計環(huán)節(jié)已實現(xiàn)局部領(lǐng)先，華為海思5nm麒麟芯片設(shè)計能力、寒武紀思元590 AI芯片算力密度均達到國際頂尖水平。

中韓競爭呈現(xiàn) “雙軌并行” 特征

中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起得益于“舉國體制+市場驅(qū)動”的雙重動力。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)模達3440億元，重點支持設(shè)備材料、先進封裝等領(lǐng)域；2024年中國大陸晶圓代工產(chǎn)能同比增長15%至每月 885萬片，預(yù)計2030年將超越中國臺灣成為全球最大代工中心。韓國則憑借數(shù)十年積累的量產(chǎn)經(jīng)驗構(gòu)建護城河，三星電子單月300萬片晶圓產(chǎn)能占全球存儲芯片市場45%份額，其“垂直整合+供應(yīng)鏈控制”模式短期內(nèi)難以復(fù)制。

技術(shù)博弈進入 “臨界點”

KISTEP報告警示，韓國半導體產(chǎn)業(yè)面臨四大挑戰(zhàn)：中國技術(shù)追趕速度超預(yù)期、美國技術(shù)管制導致供應(yīng)鏈重構(gòu)、核心人才流失（2024年韓國半導體人才凈流出量同比增長40%）、AI芯片等新興領(lǐng)域競爭加劇。中國則需突破光刻機、EDA 工具等“卡脖子”環(huán)節(jié)，同時應(yīng)對美國對華半導體設(shè)備出口限制的持續(xù)加碼。

這場半導體技術(shù)競賽已超越單純的企業(yè)競爭層面，演變?yōu)樯婕皣覒?zhàn)略安全、產(chǎn)業(yè)政策導向、全球供應(yīng)鏈重構(gòu)的復(fù)雜博弈。正如KISTEP院長樸成賢所言：“當技術(shù)迭代速度超過摩爾定律預(yù)期，半導體產(chǎn)業(yè)的競爭規(guī)則正在被重新書寫?！?/p>

審核編輯 黃宇