MOS管是一種具有特殊功能的半導(dǎo)體器件,其英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它在電路中通常作為開(kāi)關(guān)使用,通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的導(dǎo)通和截止。
在一塊金屬膜上制作兩個(gè)電極A和B,分別與源極和漏極相連。當(dāng)給其中一個(gè)電極加上正向電壓時(shí),該電極將產(chǎn)生電子并沿電場(chǎng)方向移動(dòng)形成空穴;而給另一個(gè)電極加上反向電壓時(shí),該電極將產(chǎn)生空穴并將電子向反方向推回至金屬膜表面形成一個(gè)回路,從而阻止電子流動(dòng)而產(chǎn)生電流輸出到負(fù)載電阻上。
由于MOS管的輸入電阻很大,對(duì)負(fù)載電流的變化不敏感,因此即使外加電源電壓變化,它也能保持截止?fàn)顟B(tài)不變(即開(kāi)路)。當(dāng)外電路接通且負(fù)載電流增大時(shí),由于基區(qū)電阻較大而呈現(xiàn)高阻抗特性,使輸出電壓減小直至截止。
MOS管的工作原理
MOS管一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。
MOS管由漏極、源極和柵極組成,還分為N溝和P溝兩種MOS管。首先我們將漏極接到電源正極,源極接到電源負(fù)極。對(duì)mos管而言,在柵極無(wú)電壓情況下,源極與漏極之間是兩個(gè)背對(duì)背二極管,而不會(huì)有電流通過(guò),此時(shí)的mos管處于截止?fàn)顟B(tài)。
如上圖所示,柵極加電壓時(shí),當(dāng)電壓小于閾值 VGS (th)時(shí),柵極與基片 P之間會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)的作用,使 P型半導(dǎo)體的源極和漏極上的負(fù)電子受到吸引而涌向柵極,而因?yàn)檠趸さ淖韪?,將電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的半導(dǎo)體中。
如果柵極電壓越高,電子濃度就會(huì)越高。當(dāng)VGS (th)超過(guò)一個(gè)閾值,N型半導(dǎo)體將在源極和漏極之間形成一個(gè)電子通道。這段時(shí)間內(nèi),由于漏極上加了正電壓,會(huì)形成漏極至源極的電流, MOS管導(dǎo)通。
MOS管開(kāi)關(guān)電路實(shí)例
在電路中,MOS管通常用作開(kāi)關(guān),通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的導(dǎo)通和截止。其電路符號(hào)通常由三個(gè)引腳組成,分別是柵極(G)、源極(S)和漏極(D)。有時(shí),在源極和漏極之間還會(huì)有一個(gè)表示二極管的符號(hào)。
當(dāng)柵極電壓為0時(shí),MOS管處于截止?fàn)顟B(tài),源極和漏極之間沒(méi)有導(dǎo)通。當(dāng)柵極電壓大于閾值電壓時(shí),MOS管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),源極和漏極之間形成導(dǎo)電通道。
在電路中,可以使用電阻、電容、二極管等元件與MOS管一起構(gòu)成各種電路。例如,通過(guò)在柵極上施加一個(gè)控制信號(hào),可以將MOS管作為開(kāi)關(guān)來(lái)控制電流的通斷。
此外,根據(jù)不同的工作電壓和電流要求,可以選擇不同類(lèi)型和規(guī)格的MOS管,如N溝道或P溝道、高低壓驅(qū)動(dòng)等。
在下圖所示的電路中,增強(qiáng)型 N 溝道MOS管用于切換簡(jiǎn)單的燈“ON”和“OFF”(也可以是 LED)。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_(kāi)器件,因此燈負(fù)載要么“打開(kāi)”,(V GS = +ve),要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平,(V GS = 0V)。
如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載(如線(xiàn)圈、螺線(xiàn)管或繼電器)代替,則需要與負(fù)載并聯(lián)一個(gè)“續(xù)流二極管”,以保護(hù)MOS管免受任何自生反電動(dòng)勢(shì)的影響。
上面顯示了一個(gè)非常簡(jiǎn)單的電路, 用于切換電阻負(fù)載,例如燈或 LED 。但是,當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時(shí),需要某種形式的保護(hù)來(lái)防止mos管器件受損。驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載與驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的效果相反。
例如,沒(méi)有電荷的電容是短路的,導(dǎo)致高“涌入”電流,當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時(shí),隨著磁場(chǎng)崩潰,我們會(huì)產(chǎn)生很大的反向電壓,從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動(dòng)勢(shì)。
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MOS管開(kāi)關(guān)電路原理圖

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