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IC科研應(yīng)用創(chuàng)新實驗室方案

北京革新創(chuàng)展科技有限公司 ? 2024-01-03 11:12 ? 次閱讀
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  • 支持一體化實驗室建設(shè):5nm集成電路“虛實聯(lián)動”線下實驗室建設(shè)。
  • 支持科研課題與文章發(fā)表
  • 支持教育部A類學(xué)科競賽

產(chǎn)業(yè)場景:自動化建造系統(tǒng)、EUA光刻機、商用仿真器14納米級別……

一、人工智能與集成電路應(yīng)用實驗(16學(xué)時)
實驗1 求解回歸問題:多項式回歸與高斯過程回歸方法
實驗2 求解數(shù)據(jù)分類問題:KNN、SVM與隨機森林方法
實驗3 求解圖像分類問題:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)方法
實驗4 求解優(yōu)化問題:差分進(jìn)化算法的使用
實驗5 應(yīng)用機器學(xué)習(xí)方法解決微電子器件相關(guān)問題
實驗6 應(yīng)用機器學(xué)習(xí)方法解決半導(dǎo)體工藝相關(guān)問題
實驗7 應(yīng)用機器學(xué)習(xí)方法解決集成電路相關(guān)問題
實驗8 人工智能與集成電路應(yīng)用綜合實驗
課程1:人工智能與機器學(xué)習(xí)基礎(chǔ)
課程2:深度學(xué)習(xí)基礎(chǔ)
課程3:人工智能應(yīng)用于微電子器件
課程4:人工智能應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝
課程5:人工智能應(yīng)用于集成電路
課程6:人工智能綜合應(yīng)用

二、先進(jìn)節(jié)點工藝器件聯(lián)合分析實驗(8學(xué)時)
實驗1 電阻二極管工藝器件聯(lián)合分析實驗
實驗2 JFET和MESFET工藝器件聯(lián)合分析實驗
實驗3 雙極型晶體管工藝器件聯(lián)合分析實驗
實驗4 MOSFET工藝器件聯(lián)合分析實驗

三、集成電路計算機輔助技術(shù)實驗(16學(xué)時)
實驗1 集成電路計算機輔助技術(shù)入門
實驗2 集成電路無源元件器件模型參數(shù)提取實驗
實驗3 JFET與MESFET器件模型參數(shù)提取實驗
實驗4 二極管器件模型參數(shù)提取實驗
實驗5 雙極型晶體管器件模型參數(shù)提取實驗
實驗6 MOSFET器件模型參數(shù)提取實驗
課程1:SPICE仿真與建模
課程2:器件SPICE模型簡介
課程3:BJT的SPICE模型
課程4:MOSFET的SPICE模型
課程5:BSIM4模型

四、集成電路測試與分析實驗(16學(xué)時)
實驗1 集成電路測試基礎(chǔ)與測試設(shè)備使用實驗
實驗2 常用電路性能指標(biāo)的測試方法實驗
實驗3 理想運算放大器及反饋電路測試與分析實驗
實驗4 基準(zhǔn)電流源測試與分析實驗
實驗5 帶隙電壓基準(zhǔn)測試與分析實驗
實驗6 多級CMOS運算放大器測試與分析實驗
實驗7 超低溫漂帶隙電壓基準(zhǔn)測試與分析實驗

以上為四個實驗?zāi)K內(nèi)容,主要用于研究生,能滿足科研需求,亦可以用于本科高階段學(xué)習(xí)使用。

如需其他配置方案,請隨時聯(lián)系我們。

提供一站式微電子與集成電路專業(yè)建設(shè)綜合解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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