益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC產(chǎn)線
浙江益中封裝技術(shù)有限公司宣布其一期擴(kuò)建項(xiàng)目正式開工。這一重要項(xiàng)目標(biāo)志著其在車規(guī)級半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了實(shí)質(zhì)性的一步。
據(jù)悉，該擴(kuò)建項(xiàng)目計劃建設(shè)一條先進(jìn)的封裝產(chǎn)線，專門用于生產(chǎn)Si/SiC器件。這一產(chǎn)線將采用業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)和設(shè)備，以確保產(chǎn)品的高品質(zhì)和可靠性。
擴(kuò)建項(xiàng)目的總面積達(dá)到5800平方米，預(yù)計總投資超過億元。這一規(guī)模的投資充分展現(xiàn)了對車規(guī)級半導(dǎo)體封裝市場的長期承諾和信心。
按照規(guī)劃，該項(xiàng)目預(yù)計在2024年6月投產(chǎn)，屆時將具備年產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品的能力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31241瀏覽量
266585 -
封裝技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
605瀏覽量
69367 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3862瀏覽量
70123
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SiC/GaN正在重塑新能源汽車性能，工程師如何應(yīng)對新挑戰(zhàn)？
。 ● 英飛凌的HybridPACK? Drive G2 Fusion，Si/SiC混合模塊，兼顧性能與成本，適合對成本敏感的車型。 ● 賽米控丹佛斯的無焊接、無鍵合線柔性封裝，雜散電
發(fā)表于 04-17 17:43
一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】
，與中恒微簽署戰(zhàn)略合作，共建 SiC 晶圓制造 + 模塊封裝全鏈條閉環(huán)，加速 8 英寸產(chǎn)線落地。
2026 年 2 月，受邀參加合肥市 “新春第一會”，推進(jìn)
發(fā)表于 03-24 13:48
SiLM27531H車規(guī)級低邊單通道門極驅(qū)動器，為高效電源管理賦能
保護(hù)。
完備的保護(hù)：內(nèi)置欠壓閉鎖（UVLO）保護(hù)，防止低電壓下誤動作。
車規(guī)級品質(zhì)：通過AEC-Q100認(rèn)證，工作溫度范圍-40°C至125°C，適用于汽車電子嚴(yán)苛環(huán)境。
緊湊封裝：采用SOT23-6
發(fā)表于 02-28 08:54
聞泰科技斬獲2026 IC風(fēng)云榜年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎
近日，2026半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮舉行，聞泰科技憑借研發(fā)創(chuàng)新實(shí)力斬獲“年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎”，旗下1200V車規(guī)級碳化硅（SiC
車規(guī)級單通道低邊驅(qū)動器SiLM27531M，助力GaN/SiC功率系統(tǒng)高效運(yùn)行
℃
通過AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證，提供SOT23-6緊湊封裝
核心優(yōu)勢：
高速強(qiáng)驅(qū)，適配先進(jìn)器件
21ns低傳輸延遲與5A驅(qū)動能力，可充分釋放GaN、SiC器件的高頻潛力，有效降低開關(guān)
發(fā)表于 01-07 08:07
SiLM27531H面向?qū)捊麕骷母咝阅?b class='flag-5'>車規(guī)級低邊驅(qū)動器
在高效開關(guān)電源、車載充電機(jī)等應(yīng)用中，驅(qū)動電路的性能直接影響著GaN、SiC等新一代功率器件的潛力發(fā)揮。為滿足高頻、高壓驅(qū)動的嚴(yán)苛要求，SiLM27531H——一款通過車規(guī)認(rèn)證的單通道低邊門極驅(qū)動器
發(fā)表于 12-26 08:20
深度解析車規(guī)級低邊單通道門極驅(qū)動SiLM27531H
、變頻器中的隔離或非隔離驅(qū)動電路。
總結(jié)在功率半導(dǎo)體技術(shù)快速迭代向GaN、SiC演進(jìn)的時代，門極驅(qū)動器的性能已成為決定系統(tǒng)天花板的關(guān)鍵一環(huán)。SiLM27531H以其車規(guī)級的可靠性、對標(biāo)先進(jìn)功率器件的超高速
發(fā)表于 12-12 08:39
年產(chǎn)100萬！SiC模塊封裝產(chǎn)線正式動工
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日有網(wǎng)友在社交媒體透露，基本半導(dǎo)體（中山）有限公司年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目開始動工，進(jìn)入打樁階段。 ? ? 來源：視頻號-魏蓋8096 ? 根據(jù)中山
CYNTEC車規(guī)級功率電感VCGA052T：高性能替代Eaton SDCHA1V50
）DCR：直流電阻，越低越好，影響效率和發(fā)熱 共模扼流圈替代方案品牌/型號共模阻抗@100 MHz額定電流封裝 (mm)車規(guī)認(rèn)證
TDK ACLV05L1K0-T1 kΩ2.8 A5.0×5.0
發(fā)表于 11-05 13:59
SiLM27531HAC-7G車規(guī)級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動解析
的 VDD 供電，輕松滿足20V+驅(qū)動需求（如IGBT、SiC）。UVLO閾值13.5V~30V，適配高驅(qū)動電壓應(yīng)用。
卓越魯棒性與可靠性：
車規(guī)級認(rèn)證： 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，滿足汽車電子
發(fā)表于 08-09 09:18
Si、SiC與GaN，誰更適合上場？| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析
，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流-1400+最新全球汽車動力系統(tǒng)相關(guān)的報告與解析已上傳知識星球?qū)дZ：在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競技場上，Si、SiC與GaN正上演一
車規(guī)級和消費(fèi)級有什么區(qū)別？為什么自動駕駛需要車規(guī)級？
[首發(fā)于智駕最前沿微信公眾號]某車企高管專門討論某車使用消費(fèi)級芯片的事情，再次引發(fā)了關(guān)于車規(guī)級和消費(fèi)級的探討。車
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開工
2025 年5月9日上午，中共揚(yáng)州市委副書記、秘書長焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書記張新鋼，揚(yáng)州市財政局局長楊蓉、副局長徐軍，揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰科技，出席揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊
車規(guī)級封裝的優(yōu)勢有哪些
封裝技術(shù)不僅是芯片的保護(hù)殼，更是決定芯片工作穩(wěn)定性的核心要素，普通封裝芯片在汽車電子領(lǐng)域使用時，可能會因?yàn)橐淮晤嶔せ蚋邷亓T工，而車規(guī)級封裝卻
評論