一、認(rèn)識米勒電容 如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。 其中： 輸入電容Ciss=Cgs+Cgd， 輸出電容Coss=Cgd+Cds， 反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。 然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會影響柵極和源極電容的充電。 二、理解米勒效應(yīng) 米勒效應(yīng)是指MOS管g、d的極間電容Crss在開關(guān)動作期間引起的瞬態(tài)效應(yīng)。 可以看成是一個(gè)電容的負(fù)反饋。在驅(qū)動前，Crss上是高電壓，當(dāng)驅(qū)動波形上升到閾值電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，d極電壓急劇下降，通過Crss拉低g腳驅(qū)動電壓，如果驅(qū)動功率不足，將在驅(qū)動波形的上升沿閾值電壓附近留下一個(gè)階梯，如下圖。 有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢平臺，而這個(gè)平臺增加了MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。 三、MOS管的開通過程 ①t0—t1階段 這個(gè)過程中，驅(qū)動電流ig為Cgs充電，Vgs上升，Vds和Id保持不變。一直到t1時(shí)刻，Vgs上升到閾值開啟電壓Vg（th）。在t1時(shí)刻以前，MOS處于截止區(qū)。 ②t1—t2階段 t1時(shí)刻，MOS管就要開始導(dǎo)通了，也就標(biāo)志著Id要開始上升了。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動電流仍然是為Cgs充電，Id逐漸上升，在上升的過程中Vds會稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降。 從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會維持不變。 ③t2—t3階段 從t2時(shí)刻開始，進(jìn)入米勒平臺時(shí)期，米勒平臺就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動的一個(gè)平臺。此時(shí)漏電流Id最大。且Vgs的驅(qū)動電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電，Vgs出現(xiàn)了米勒平臺，Vgs電壓維持不變，然后Vds就開始下降了。 ④t3~t4階段 當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)上升，直至MOS管完全導(dǎo)通。 以上是MOS管開通的四個(gè)過程。 所以在米勒平臺，是Cgd充電的過程，這時(shí)候Vgs變化很小，當(dāng)Cgd和Cgs處在同等水平時(shí)，Vgs才開始繼續(xù)上升。 四、米勒效應(yīng)能避免嗎？ 由上面的分析可以看出米勒平臺是有害的，造成開啟延時(shí)，導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重。但因?yàn)镸OS管的制造工藝，一定會產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容一定會存在，所以米勒效應(yīng)不能避免。 目前減小 MOS 管米勒效應(yīng)的措施如下： 1. 提高驅(qū)動電壓或者減小驅(qū)動電阻，目的是增大驅(qū)動電流，快速充電。但是可能因?yàn)榧纳姼袔碚鹗巻栴}； 2.ZVS 零電壓開關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的，即在 Vds 為 0 時(shí)開啟溝道，在大功率應(yīng)用時(shí)較多。

南柯電子｜汽車電子EMC測試系統(tǒng)：車企必須要知道的電磁安全方案

嘉賓介紹 論壇ID：@川楠，研發(fā)工程師，社區(qū)試用達(dá)人 我記得我應(yīng)該是上大學(xué)的加入發(fā)燒友，我當(dāng)時(shí)就覺得發(fā)燒友這名字特別貼切。這個(gè)專業(yè)學(xué)習(xí)面特別寬，從模電到數(shù)電，從信號到編碼，從單片機(jī)到FPGA，從

特性、柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)；為了采樣準(zhǔn)確，你必須熟悉運(yùn)放和ADC電路。是“讓算法在真實(shí)世界中跑起來”這個(gè)目標(biāo)，推動我不斷去學(xué)習(xí)和理解電路設(shè)計(jì)。 @社區(qū)小助手： 您對那些想學(xué)電路設(shè)計(jì)的同學(xué)，有什么建議

作 【RA-Eco-RA2E1-48PIN-V1.0開發(fā)板試用】4、UART外接WIFI模塊獲取天氣信息 社區(qū)訪談 @社區(qū)小助手： 可以分享一下您的學(xué)習(xí)、工作經(jīng)歷嗎，您是怎樣進(jìn)入電子行業(yè)的呢

儀表又承擔(dān)著智能監(jiān)控的數(shù)據(jù)采集前端部分。現(xiàn)在，正開始對AI技術(shù)進(jìn)行學(xué)習(xí)及應(yīng)用設(shè)計(jì)。@社區(qū)小助手：您對那些想學(xué)電路設(shè)計(jì)的同學(xué)，有什么建議？@jf_26839373：電路設(shè)計(jì)分為數(shù)字電路設(shè)計(jì)和模擬電路設(shè)計(jì)

如果你已經(jīng)在用 MATLAB 做深度學(xué)習(xí)，那一定知道它的訓(xùn)練和仿真體驗(yàn)非常絲滑。但當(dāng)模型要真正落地到 FPGA 上時(shí)，往往就會卡住：怎么把網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和權(quán)重優(yōu)雅地搬到硬件里？

隨著機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，傳統(tǒng)的中央處理單元（CPU）和圖形處理單元（GPU）已經(jīng)無法滿足高效處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜模型的需求。FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）作為一種靈活且高效的硬件加速平臺

近日，deepin(深度)社區(qū)正式入駐 RuyiSDK 開發(fā)者社區(qū)，雙方將緊密協(xié)作，共同推動 RISC-V 技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展!

它色彩傳感器的對比及色差分析處理結(jié)項(xiàng) 【鋯石A4 FPGA試用體驗(yàn)】由組合邏輯開始學(xué)習(xí)FPGA編程 【MK品牌SD NAND（貼片式T卡）測評報(bào)告】初識米客方德貼片式T卡 【益登科技代理

理論和實(shí)踐有過推導(dǎo)和大量的研發(fā)調(diào)試經(jīng)驗(yàn)。 工作經(jīng)歷 華為技術(shù)有限公司---芯片驗(yàn)證工程師 上海問問網(wǎng)絡(luò)科技有限公司---電機(jī)驅(qū)動軟件工程師 社區(qū)小助手：可以分享一下您的學(xué)習(xí)、工作經(jīng)歷嗎，您是怎樣進(jìn)入

，期間也開發(fā)錄制了系列硬件學(xué)習(xí)課程！ 社區(qū)小助手：可以分享一下您的學(xué)習(xí)、工作經(jīng)歷嗎，您是怎樣進(jìn)入電子行業(yè)的呢？ 張飛老師： 我們那個(gè)年帶運(yùn)氣比較好，剛好趕上了中國加入世界貿(mào)易組織，國外先進(jìn)的電子產(chǎn)品

率等指標(biāo)，識別高價(jià)值功能并淘汰冗余模塊。 A/B測試：對新功能進(jìn)行多版本對比測試，驗(yàn)證用戶偏好。例如分享獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制可提升200%用戶增長。 社區(qū)與工具賦能：利用AI輔助工具（如FinClip

我將VCM_CONFIG1的LOOP_CNT1_FLD設(shè)置成0x05，希望在每次開機(jī)的時(shí)候能撥放5次， 想請問有甚么方式能知道現(xiàn)在FPGA撥放到第幾次呢？或是FPGA現(xiàn)在撥放到第幾個(gè)Frame呢？