chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

DK075G東科650V/160mΩ氮化鎵HEMT準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片

騰震粵電子 ? 2024-01-05 18:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

DK075G是一款高度集成了650V/160mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK075G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓(V DS ),當(dāng) V DS 達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管,從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。
DK075G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK075G 具備完善的保護(hù)功能:輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP),VCC 過(guò)欠壓保護(hù),過(guò)溫保護(hù)(OTP),開(kāi)環(huán)保護(hù),輸出過(guò)流保護(hù)(OCP)等。

特點(diǎn) :
? 峰值 94.3%效率
? 最高支持 250KHz 開(kāi)關(guān)頻率
? 待機(jī)功耗低于 50mW
? 采用 QR 工作模式
? 內(nèi)置算法優(yōu)化的谷底檢測(cè)電路和谷底鎖定電路
? 內(nèi)置退磁檢測(cè)電路
? 內(nèi)置抖頻電路有效改善 EMI
? 內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路,保證高低壓
下最大輸出功率一致
? 無(wú)鹵素且符合 ROHs 要求
? 通過(guò) IEC 62368-1:2018 安全認(rèn)證,編號(hào)為NO123514
? 封裝型號(hào) DFN8*8

典型應(yīng)用:
? 高功率密度快速充電器,適配器
? 筆記本電腦適配器,平板電腦適配器,機(jī)頂盒適配器等
? 輔助和待機(jī)電源

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 充電器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    4390

    瀏覽量

    121554
  • 適配器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    2126

    瀏覽量

    71122
  • PD快充
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    246

    瀏覽量

    11079
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化雙向開(kāi)關(guān)

    新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化雙向開(kāi)關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開(kāi)關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 01-19 17:14 ?1097次閱讀
    新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>雙向<b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)</b>

    新品 | 第五代氮化CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    Ω、耐壓650V的增強(qiáng)型CoolGaN晶體管組成。該產(chǎn)品憑借CoolGaN晶體管卓越的開(kāi)關(guān)特性,非常適合用于實(shí)現(xiàn)AC-DC充電器與適配器的高功率密度設(shè)計(jì),以及低
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:09 ?1339次閱讀
    新品 | 第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>CoolGaN? <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>G</b>5雙通道晶體管

    探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    4YS 650 V SuperGaN? FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的
    的頭像 發(fā)表于 12-29 10:05 ?144次閱讀

    DK8045 700V/330mΩ GaN 準(zhǔn)諧振控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片

    DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT準(zhǔn)諧振
    發(fā)表于 12-17 09:04 ?1次下載

    DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術(shù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-24 16:47 ?1次下載

    英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)產(chǎn)品介紹

    CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)。這款基于氮化(GaN)技術(shù)的單片雙向開(kāi)關(guān),憑借
    的頭像 發(fā)表于 08-28 13:52 ?3481次閱讀

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率級(jí)適用于
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:56 ?4043次閱讀
    Texas Instruments LMG3624 <b class='flag-5'>650V</b> 170<b class='flag-5'>m</b>Ω<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN) <b class='flag-5'>功率</b>級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    DK8065高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片

    DK8065 是一款高度集成了 700V GaN HEMT準(zhǔn)諧振
    發(fā)表于 07-05 15:50 ?6次下載

    DK8607AD集成雙氮化功率管有源鉗位電源管理芯片

    產(chǎn)品概述:DK8607AD 是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位控制 AC-DC
    發(fā)表于 07-02 11:53 ?1次下載

    DK036GAC-DC 氮化電源管理芯片

    產(chǎn)品概述:DK036G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT準(zhǔn)諧振
    發(fā)表于 06-09 09:33 ?0次下載

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2500次閱讀
    納微半導(dǎo)體雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)</b>深度解析

    PI氮化開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品介紹

    InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化開(kāi)關(guān)IC專(zhuān)為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)12
    的頭像 發(fā)表于 05-30 09:34 ?1228次閱讀

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?939次閱讀
    GNP1070TC-Z <b class='flag-5'>650V</b> GaN <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊(cè)

    內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

    內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
    的頭像 發(fā)表于 03-05 10:09 ?925次閱讀
    內(nèi)置<b class='flag-5'>650V</b> MOSFET的高可靠性PSR <b class='flag-5'>AC-DC</b>轉(zhuǎn)換器CN1812

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1832次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件?