場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于電路設(shè)計(jì)，因?yàn)樗鼈兡軌蛱峁┓浅８叩妮斎胱杩顾揭约帮@著的電壓增益水平。

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。

但是，仍然可以設(shè)計(jì)具有電流和電壓增益的電路，并采用類(lèi)似的電路格式。

FET電路基礎(chǔ)知識(shí)

在考慮使用FET電路時(shí)，有必要考慮FET技術(shù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類(lèi)型將是最適用的。

FET 有三個(gè)電極：

源：源極是 FET 上的電極，多數(shù)載流子通過(guò)該電極進(jìn)入溝道，即充當(dāng)器件的載流子源。通過(guò)源進(jìn)入通道的電流由 IS 指定。

排水：漏極是FET電極，多數(shù)載流子通過(guò)該電極離開(kāi)溝道，即它們從溝道中排出。通過(guò)漏極進(jìn)入溝道的常規(guī)電流由字母 ID 表示。此外，漏源電壓通常由字母 VDS 表示

門(mén)：柵極是控制通道電導(dǎo)率的端子，因此柵極上的電壓水平控制著在設(shè)備輸出中流動(dòng)的電流。

結(jié)型 FET 電路符號(hào)

FET電路設(shè)計(jì)參數(shù)

在開(kāi)始設(shè)計(jì)FET電路時(shí)，有必要確定電路的基本要求。這些將決定有關(guān)要使用的電路拓?fù)漕?lèi)型以及要使用的 FET 類(lèi)型的許多決策。

晶體管電路設(shè)計(jì)的要求中可能需要許多參數(shù)：

電壓增益：電壓增益通常是一個(gè)關(guān)鍵要求。它是輸出信號(hào)電壓除以輸入信號(hào)電壓。

電流增益：這是FET電路的電流增益?？赡苄枰獙⒏唠娏黩?qū)動(dòng)到負(fù)載中。

輸入阻抗：這是上一級(jí)在向相關(guān) FET 電路提供信號(hào)時(shí)將看到的阻抗。FET 本身對(duì)柵極具有較高的輸入阻抗，因此 FET 通常用于至關(guān)重要的場(chǎng)合。

輸出阻抗：輸出阻抗也很重要。如果FET電路驅(qū)動(dòng)低阻抗電路，則其輸出必須具有低阻抗，否則晶體管輸出級(jí)將出現(xiàn)較大的壓降。

頻率響應(yīng)：頻率響應(yīng)是影響FET電路設(shè)計(jì)的另一個(gè)重要因素。低頻或音頻晶體管電路設(shè)計(jì)可能與用于射頻應(yīng)用的設(shè)計(jì)不同。此外，電路設(shè)計(jì)中FET和電容值的選擇將受到所需頻率響應(yīng)的極大影響。

電源電壓和電流：在許多電路中，電源電壓由可用電壓決定。此外，電流可能會(huì)受到限制，特別是如果完成的 FET 電路設(shè)計(jì)是電池供電的。

用于電路設(shè)計(jì)的 FET 類(lèi)型

由于可以使用幾種不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，因此有必要定義至少一些可在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中使用的 FET。

下表定義了一些可能遇到的不同類(lèi)型和特征。

審核編輯：黃飛