東京——日本芯片制造商瑞薩電子將以3.39億美元收購美國功率半導體公司Transphorm，該公司于周四表示，此舉旨在提升其在電動汽車先進氮化鎵（GaN）芯片領(lǐng)域的影響力。

該收購預計將在2024年下半年完成。屆時，Transphorm將成為瑞薩的全資子公司。

功率半導體用于控制電機和轉(zhuǎn)換電力，瑞薩正從傳統(tǒng)的硅材料轉(zhuǎn)向更高效率的新材料。

此次收購Transphorm將使瑞薩有機會全面進入GaN領(lǐng)域，自去年以來，該公司一直尋求在此領(lǐng)域擴張。

GaN半導體具有高熱導率和卓越的散熱性能。與傳統(tǒng)芯片相比，它們的功率損失不到一半，能延長電動車的續(xù)航里程。同時，它們也適用于數(shù)據(jù)中心、小型電源以及其他產(chǎn)品。

Transphorm擁有符合國際標準的汽車用GaN半導體技術(shù)，也表示出期待與擁有眾多汽車客戶的瑞薩合作，實現(xiàn)協(xié)同效應。