據(jù)悉，近期臺積電旗下在中國臺灣的重要供應(yīng)鏈合作伙伴透露，公司即將采用GAA（全柵極環(huán)繞）技術(shù)來生產(chǎn)2nm制程節(jié)點產(chǎn)品。其中，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山P1晶圓廠有望最早于今年4月份啟動設(shè)備安裝工作，而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術(shù)的2nm芯片。

得益于2nm制程項目的順利推進，寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進行。臺中科學(xué)園區(qū)已初步確定了A14與A10生產(chǎn)線的布局，具體是否增設(shè)2nm制程工藝將根據(jù)市場需求再定。

對于臺中晶圓廠的二期項目，臺積電尚在評估潛在客戶需求，并擬在2027年前做出決定：于該廠房采用2nm或是A14工藝節(jié)點。2nm技術(shù)的成功落地，不僅為ASML、應(yīng)用材料等供應(yīng)商帶來商業(yè)契機，同時也為眾多中國臺灣供應(yīng)商創(chuàng)造了新的發(fā)展空間。

另外，臺積電自2023年第三季度以來，其3nm工藝節(jié)點的營收比例已升至約6％。至今，其每月3nm產(chǎn)能已逐步攀升至10萬片，且預(yù)計明年將對公司整體收入形成更大貢獻(xiàn)。其中，N3E作為更具性能優(yōu)勢的3nm節(jié)點產(chǎn)品已于2023年第四季度啟動量產(chǎn)，同時具備N3P、N3X工藝的產(chǎn)品系列亦能滿足多樣化的客戶需求。

據(jù)預(yù)測，臺積電的2nm技術(shù)有望于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。盡管臺積電暫未披露相關(guān)設(shè)備采購計劃，但無疑最新型的EUV光刻機是達(dá)成2nm制程的必要條件。值得關(guān)注的是，英特爾已率先入手ASML的首臺High-NA EUV光刻機，每臺售價高達(dá)4億歐元。