全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)“YQ系列”。

二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差，因此在用于開關(guān)應(yīng)用時(shí)存在功率損耗增加的課題。針對(duì)這種課題，ROHM推出采用自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)、同時(shí)改善了存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR、并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產(chǎn)品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應(yīng)用的4個(gè)SBD系列之后推出的新系列產(chǎn)品，也是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的二極管。該系列利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的trr(15ns)，與同樣采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的普通產(chǎn)品相比，trr單項(xiàng)的損耗降低約37%，總開關(guān)損耗降低約26%，因此，有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。另外，通過采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往采用平面結(jié)構(gòu)的SBD相比，正向施加時(shí)的損耗VF* 2和反向施加時(shí)的損耗IR* 3均得到改善。這不僅可以降低在整流應(yīng)用等正向使用時(shí)的功率損耗，還可以降低對(duì)于SBD而言最令人擔(dān)心的熱失控風(fēng)險(xiǎn)*4。這些優(yōu)勢(shì)使得該系列產(chǎn)品非常適用于容易發(fā)熱的車載LED前照燈的驅(qū)動(dòng)電路、xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進(jìn)行高速開關(guān)的應(yīng)用。

新產(chǎn)品從2023年12月起全部投入量產(chǎn)，樣品可通過Ameya360等平臺(tái)購(gòu)買。今后，ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì)，并繼續(xù)加強(qiáng)別具特色的產(chǎn)品陣容，為應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

<關(guān)于SBD的溝槽MOS結(jié)構(gòu)>

溝槽MOS結(jié)構(gòu)是在外延層中形成溝槽(溝槽MOS)并用多晶硅填充的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以緩和電場(chǎng)集中，從而可以降低外延層的電阻率，在正向施加時(shí)VF更低。另外，當(dāng)反向施加時(shí)，可以緩和電場(chǎng)集中現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。另一方面，在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中，寄生電容(元器件中的電阻分量)較大，因此trr要比平面結(jié)構(gòu)的差?！癥Q系列”不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開關(guān)時(shí)的損耗降低約26%，因此非常有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

<應(yīng)用示例>

?汽車LED前照燈 ?xEV用DC-DC轉(zhuǎn)換器 ?工業(yè)設(shè)備電源 ?照明

<產(chǎn)品陣容表>

<支持頁(yè)面和資源信息>

ROHM的官網(wǎng)提供可以了解新產(chǎn)品電路優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用指南，以及介紹包括新產(chǎn)品在內(nèi)的各SBD系列產(chǎn)品特點(diǎn)的白皮書。在SBD產(chǎn)品頁(yè)面中，可以通過輸入耐壓條件等參數(shù)來(lái)縮小產(chǎn)品范圍，有助于設(shè)計(jì)時(shí)順利選擇產(chǎn)品。文章原文請(qǐng)查看：http://www.ameya360.com/hangye/111258.html

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1) 反向恢復(fù)時(shí)間：trr(Reverse Recovery Time)

開關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低，開關(guān)時(shí)的損耗越小。

*2) 正向電壓：VF(Forward Voltage)

當(dāng)電流沿從+到-的方向流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電壓降。該值越低，效率越高。

*3) 反向電流：IR(Reverse Current)

反向施加電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。該值越低，功耗(反向功耗)越小。

*4) 熱失控

當(dāng)向二極管施加反向電壓時(shí)，內(nèi)部的芯片發(fā)熱量超過了封裝的散熱量，導(dǎo)致IR值增加，最終造成損壞的現(xiàn)

象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發(fā)生熱失控，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要格外注意。


審核編輯 黃宇