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鴻蒙知識(shí)點(diǎn)

王程 ? 來源:jf_75796907 ? 作者:jf_75796907 ? 2024-01-31 17:40 ? 次閱讀
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1、鴻蒙上的類似adb的工具名叫hdc

hdc(HarmonyOS Device
Connector)是HarmonyOS為開發(fā)人員提供的用于調(diào)試的命令行工具,通過該工具可以在window/linux/mac系統(tǒng)上與真實(shí)設(shè)備或者模擬器進(jìn)行交互。

(1)

hdc list targets

(2)

 hdc file send local remote

(3)

hdc install package File

這里列舉的幾個(gè)命令是不是很熟悉?一看名字就知道和安卓中的adb是對(duì)應(yīng)關(guān)系。不需要去記憶,在需要使用到的時(shí)候去官網(wǎng)查一下就行: hdc使用指導(dǎo)

2、Mac系統(tǒng)配置hdc 環(huán)境變量

wKgZomW6FVeAJmwBAAPwYt4JLhc504.png

3、項(xiàng)目中的配置文件

安卓中最主要的配置文件是AndroidManifest.xml。 其中定義了版本號(hào),申明了頁面路徑,注冊(cè)了廣播和服務(wù)。并且申明了App使用的權(quán)限。
而鴻蒙中也對(duì)應(yīng)有配置文件,但與安卓稍有不同的是鴻蒙分為多個(gè)文件。

(1) build-profile.json5
Sdk Version配置在這里, 代碼的模塊區(qū)分也在這里:

{
  "app": {
    "signingConfigs": [],
    "compileSdkVersion": 9,
    "compatibleSdkVersion": 9,
    "products": [
      {
        "name": "default",
        "signingConfig": "default",
      }
    ],
    "buildModeSet": [
      {
        "name": "debug",
      },
      {
        "name": "release"
      }
    ]
  },
  "modules": [
    {
      "name": "entry",
      "srcPath": "./entry",
      "targets": [
        {
          "name": "default",
          "applyToProducts": [
            "default"
          ]
        }
      ]
    }
  ]
}

(2)app.json5
包名,VersionCode,VersionName等信息


{
  "app": {
    "bundleName": "com.example.firstDemo",
    "vendor": "example",
    "versionCode": 1000000,
    "versionName": "1.0.0",
    "icon": "$media:app_icon",
    "label": "$string:app_name"
  }
}

(3)module.json5

模塊的詳細(xì)配置,頁面名稱和模塊使用到的權(quán)限在這里申明

{
  "module": {
    "name": "entry",
    "type": "entry",
    "description": "$string:module_desc",
    "mainElement": "EntryAbility",
    "deviceTypes": [
      "phone",
      "tablet"
    ],
    "deliveryWithInstall": true,
    "installationFree": false,
    "pages": "$profile:main_pages",
    "abilities": [
      {
        "name": "EntryAbility",
        "srcEntry": "./ets/entryability/EntryAbility.ts",
        "description": "$string:EntryAbility_desc",
        "icon": "$media:icon",
        "label": "$string:EntryAbility_label",
        "startWindowIcon": "$media:startIcon",
        "startWindowBackground": "$color:start_window_background",
        "exported": true,
        "skills": [
          {
            "entities": [
              "entity.system.home"
            ],
            "actions": [
              "action.system.home"
            ]
          }
        ]
      }
    ],
    "requestPermissions":[
      {
        "name" : "ohos.permission.APPROXIMATELY_LOCATION",
        "reason": "$string:reason",
        "usedScene": {
          "abilities": [
            "FormAbility"
          ],
          "when":"inuse"
        }
      }
    ]
  }
}

4、對(duì)應(yīng)安卓的權(quán)限管理

鴻蒙有ATM,ATM(AccessTokenManager)是HarmonyOS上基于AccesssToken構(gòu)建的統(tǒng)一的應(yīng)用權(quán)限管理能力

5、對(duì)應(yīng)安卓的SharedPreferences能力,鴻蒙有首選項(xiàng)能力

wKgaomW6FU2AchicAAN-Z7UeiMw480.png

審核編輯 黃宇

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    發(fā)表于 03-06 15:07

    鴻蒙智能體開發(fā)知識(shí)庫---創(chuàng)建知識(shí)

    源信息,可以選擇對(duì)圖片智能標(biāo)注; 3.導(dǎo)入方式-數(shù)據(jù)源:配置接口的形式導(dǎo)入知識(shí)數(shù)據(jù),按提示填寫相關(guān)信息; 4.導(dǎo)入方式-爬蟲:填寫爬取地址,配置爬取周期自動(dòng)爬取所需的知識(shí)數(shù)據(jù)。 本文參考鴻蒙官方文檔
    發(fā)表于 03-06 10:18

    模擬電路入門的知識(shí)點(diǎn)

    1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為0.5V,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V;鍺二極管的門檻電壓約為0.1V,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。 2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐蟆? 3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。 4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個(gè)電阻。 5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分,其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號(hào)下工作的電子電路及其技術(shù),稱為模擬電子技術(shù)。 6、PN結(jié)反向偏置時(shí),PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)。PN具有具有單向?qū)щ娞匦浴? 7、硅二極管導(dǎo)通后,其管壓降是恒定的,且不隨電流而改變,典型值為0.7伏;其門坎電壓Vth約為0.5伏。 8、二極管正向偏置時(shí),其正向?qū)娏饔啥鄶?shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成。 9、P型半導(dǎo)體的多子為空穴、N型半導(dǎo)體的多子為自由電子、本征半導(dǎo)體的載流子為電子—空穴對(duì)。 10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同,雜質(zhì)半導(dǎo)體可為空穴(P)半導(dǎo)體和電子(N)半導(dǎo)體兩大類。 11、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?,它的兩個(gè)主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。 12、在常溫下,硅二極管的開啟電壓約為0.5 V,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。 13、頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下,輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 15、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴。 16、按一個(gè)周期內(nèi)一只三極管的導(dǎo)通角區(qū)分,功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。 17、在阻容耦合多級(jí)放大電路中,影響低頻信號(hào)放大的是耦合和旁路電容,影響高頻信號(hào)放大的是結(jié)電容。 18、在NPN三極管組成的基本共射放大電路中,如果電路的其它參數(shù)不變,三極管的β增加,則IBQ增大,ICQ增大,UCEQ減小。 19、三極管的三個(gè)工作區(qū)域是截止,飽和,放大。集成運(yùn)算放大器是一種采用直接耦合方式的放大電路。 20、某放大電路中的三極管,在工作狀態(tài)中測(cè)得它的管腳電壓Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 試問該三極管是硅管管(材料),NPN型的三極管,該管的集電極是a、b、c中的C。 21、已知某兩級(jí)放大電路中第一、第二級(jí)的對(duì)數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對(duì)數(shù)增益為80dB,總的電壓放大倍數(shù)為10000。 22、 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的外部條件是:發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。某放大電路中的三極管,測(cè)得管腳電壓Va = -1V,Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是硅管(硅、鍺),NPN型,集電極管腳是a。 23、三種不同耦合方式的放大電路分別為:阻容(RC)耦合、直接耦合和變壓器耦合,其中直接耦合能夠放大緩慢變化的信號(hào)。 24、在多級(jí)放大電路中,后級(jí)的輸入電阻是前級(jí)的負(fù)載,而前級(jí)的輸出電阻可視為后級(jí)的信號(hào)源的內(nèi)阻。多級(jí)放大電路總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶要窄。 25、某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入12kΩ的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為4kΩ。 26、為了保證三極管工作在放大區(qū),要求: ①發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。②對(duì)于NPN型三極管,應(yīng)使VBC<0。 27、放大器級(jí)間耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和變壓器耦合三大類。 28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中,共射和共基組態(tài)有電壓放大作用,共射組態(tài)有電流放大作用,共射和共集組態(tài)有倒相作用;共集組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng),共集組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小,共基組態(tài)的頻率響應(yīng)好。 29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。 30、多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合,阻容耦合,變壓器耦合。 31、在單級(jí)共射放大電路中,如果輸入為正弦波形,用示波器觀察VO和VI的波形,則VO和VI的相位差為180°;當(dāng)為共集電極電路時(shí),則VO和VI的相位差為0。 32、放大器有兩種不同性質(zhì)的失真,分別是飽和失真和截止失真。 33、晶體管工作在飽和區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;工作在放大區(qū)時(shí),集電結(jié)反偏,發(fā)射結(jié)正偏。 34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中,希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相,可選用共射組態(tài);希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相,可選用共集組態(tài)。 35、場(chǎng)效應(yīng)管同雙極型三極管相比,其輸入電阻大,熱穩(wěn)定性好。 36、影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。 37、三極管工作在放大區(qū)時(shí),它的發(fā)射結(jié)保持正向偏置,集電結(jié)保持反向偏置。 38、場(chǎng)效應(yīng)管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。 39、在多級(jí)放大電路中總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶窄。 40、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型,它屬于電壓控制型器件。 41、場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件,而雙極型半導(dǎo)體三極管則可以認(rèn)為是 電流控制電流型器件。 42、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,只依靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 43、根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性,其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和截止區(qū)四個(gè)區(qū)域。 44、當(dāng)柵源電壓等于零時(shí),增強(qiáng)型FET無導(dǎo)電溝道,結(jié)型FET的溝道電阻最小。 45、FET是電壓控制器件,BJT是電流控制器件。 46、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中,效率最低的電路為甲類。 47、一個(gè)輸出功率為10W的擴(kuò)音機(jī)電路,若用乙類推挽功放,則應(yīng)選額定功耗至少應(yīng)為2W的功率管2只。 48、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中,效率最低的電路為甲類,為了消除交越失真常采用甲乙類電路。 49、乙類功放的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高,但出現(xiàn)交越失真,克服交越失真的方法是 采用甲乙類。 50、乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫交越失真。
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