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nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-19 12:40 ? 次閱讀
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NAND Flash和NOR Flash都是非易失性閃存技術(shù),但它們具有一些主要特點(diǎn)和區(qū)別。

NAND Flash的主要特點(diǎn):

結(jié)構(gòu):NAND Flash的結(jié)構(gòu)使其能夠提供極高的單元密度,從而達(dá)到高存儲(chǔ)密度。

速度:寫入和擦除的速度很快。

管理:需要特殊的系統(tǒng)接口來管理。

尋址:無法直接尋址執(zhí)行程序,只能用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

NOR Flash的主要特點(diǎn):

結(jié)構(gòu):應(yīng)用程序可以直接在NOR Flash內(nèi)存內(nèi)運(yùn)行,無需先把代碼讀到系統(tǒng)RAM中,這是其芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, execute In Place)的特點(diǎn)。

速度:傳輸效率很高,尤其在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益。

寫入和擦除:寫入和擦除的速度相對(duì)較慢,這影響了其性能。

應(yīng)用:主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,如嵌入式系統(tǒng)的啟動(dòng)芯片。

NAND Flash和NOR Flash的主要區(qū)別:

讀寫方式:NAND Flash的讀寫操作以“塊”為基本單位,而NOR Flash的讀寫操作以“字”為基本單位。

存儲(chǔ)介質(zhì):NAND Flash是連續(xù)存儲(chǔ)介質(zhì),適合存放大數(shù)據(jù),而NOR Flash是隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),更適合數(shù)據(jù)量較小的場合。

性能:NAND Flash的寫入和擦除速度較快,但讀取速度可能較慢。相反,NOR Flash的讀取速度很快,但寫入和擦除速度較慢。

應(yīng)用:NAND Flash主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),而NOR Flash主要用于代碼存儲(chǔ)。

在選擇使用NAND Flash還是NOR Flash時(shí),應(yīng)考慮到具體的應(yīng)用需求,如存儲(chǔ)容量、讀寫速度、成本等因素。

NAND Flash和NOR Flash在工作原理上有一些基本的差異。

首先,NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Drain)、控制柵(Control Gate)和浮柵(Floating Gate)。在編程操作時(shí),通過在Flash單元兩端產(chǎn)生較高的編程電壓,逐漸加壓至強(qiáng)可翻轉(zhuǎn)區(qū)域電壓,薄內(nèi)部極化重設(shè),使薄內(nèi)部極性重設(shè),使薄柵介質(zhì)上的電荷將產(chǎn)生流過隧道的流。當(dāng)逐漸加壓至強(qiáng)可翻轉(zhuǎn)區(qū)域電壓,薄膜內(nèi)部極性重設(shè),使薄柵介質(zhì)上的電荷將產(chǎn)生流過隧道的流,當(dāng)逐漸加壓至強(qiáng)翻轉(zhuǎn)區(qū)域,薄內(nèi)部極性重設(shè),薄柵介質(zhì)上電荷將產(chǎn)生流過隧道的流。當(dāng)電壓達(dá)到可翻轉(zhuǎn)區(qū)域電壓,薄柵介質(zhì)上的極性重設(shè),使薄柵介質(zhì)上電荷將產(chǎn)生流過隧道的流,并逐漸加壓至所需電壓。當(dāng)電壓達(dá)到所需電壓,流過隧道的流不再增加,擦寫操作即可結(jié)束。

然而,NAND Flash和NOR Flash在存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)的方式上有所不同。NAND Flash是以頁為單位進(jìn)行讀寫,以塊為單位進(jìn)行擦除。它的讀寫速度相對(duì)較慢,但存儲(chǔ)密度高,容量大,適合存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)。而NOR Flash的讀取速度與RAM相近,可以直接在芯片上運(yùn)行代碼,不需要先將代碼讀到RAM中。但是,NOR Flash的寫入速度較慢,且擦除操作需要以塊為單位進(jìn)行。

此外,NAND Flash和NOR Flash在接口設(shè)計(jì)和應(yīng)用上也有所不同。NAND Flash的接口設(shè)計(jì)相對(duì)復(fù)雜,需要特殊的系統(tǒng)接口進(jìn)行管理。由于其容量大、密度高等特點(diǎn),NAND Flash主要應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),如U盤、SD卡等。而NOR Flash的接口設(shè)計(jì)相對(duì)簡單,可以直接與CPU相連,通過數(shù)據(jù)線和地址線進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。由于其讀取速度快、可以直接運(yùn)行代碼等特點(diǎn),NOR Flash主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)和程序執(zhí)行,如嵌入式系統(tǒng)的啟動(dòng)芯片等。

總的來說,NAND Flash和NOR Flash在工作原理、存儲(chǔ)和讀取方式、接口設(shè)計(jì)和應(yīng)用等方面都存在差異。選擇使用哪種類型的Flash存儲(chǔ)器取決于具體的應(yīng)用需求和系統(tǒng)要求。

審核編輯:黃飛

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