chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅外延設備廠商納設智能啟動上市輔導

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-02-22 11:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,證監(jiān)會正式披露了深圳市納設智能裝備股份有限公司(以下簡稱“納設智能”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告,這標志著納設智能正式啟動了上市進程。

納設智能自2018年10月成立以來,一直專注于第三代半導體碳化硅(SiC)外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用推廣。公司自主研發(fā)的第三代半導體SiC高溫化學氣相沉積外延設備,在工藝指標、耗材成本、維護頻率等方面表現(xiàn)優(yōu)異,是國內(nèi)首臺完全自主創(chuàng)新的SiC外延設備,對于提升我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的整體競爭力具有重要意義。

此次證監(jiān)會披露的輔導備案報告,意味著納設智能已經(jīng)具備了上市的條件和要求。未來,隨著公司業(yè)務的不斷拓展和市場需求的持續(xù)增長,納設智能有望通過公開發(fā)行股票籌集更多資金,進一步提升技術研發(fā)能力和市場競爭力,加速推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253723
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3406

    瀏覽量

    67521
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3221

    瀏覽量

    51476
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領域發(fā)揮著關鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標,其精確測量對保障碳化硅器件性
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1327次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標,直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參數(shù)起著決定性
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?401次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    從襯底到外延碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構成,但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎作用不同碳化硅襯底:作為整個
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?785次閱讀
    從襯底到<b class='flag-5'>外延</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?873次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?984次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b>微半導體氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術進入戴爾供應鏈

    碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中,硅面貼膜是一道關鍵步驟,用于保護外延層免受機械損
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:55 ?317次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>晶片硅面貼膜后的清洗方法

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1539次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

    器件制造的關鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置作為一種先進的生長設備,以其獨特的結構和高效的生長性能,成為制備高質(zhì)量SiC外延片的重要工具。本文將詳細介紹鐘罩式
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?423次閱讀
    鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高溫<b class='flag-5'>外延</b>片生長裝置

    天域半導體IPO:國內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月,天域半導體向深交所提交上市申請,但在2024年8月,終止輔導機構協(xié)議。 ? ? 國內(nèi)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-06 06:58 ?3928次閱讀
    天域半導體IPO:國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質(zhì)的半導體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長是實現(xiàn)高性能SiC器件制造的關鍵環(huán)節(jié)。然而
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:11 ?382次閱讀
    高溫大面積<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>生長裝置及處理方法

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長室的結構設計
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>生長室結構

    溝槽結構碳化硅外延填充方法

    一、引言 溝槽結構碳化硅外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層,以實現(xiàn)器件的電學和熱學性能要求。這一過程中,不僅要保證
    的頭像 發(fā)表于 12-30 15:11 ?504次閱讀
    溝槽結構<b class='flag-5'>碳化硅</b>的<b class='flag-5'>外延</b>填充方法