GaNFast和GeneSiC技術(shù)為戴爾AI筆記本電腦打造便攜、高效和可持續(xù)的60-360W適配器

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

憑借20多年在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，納微半導體的GeneSiC憑借由其獨家“溝槽輔助平面柵”技術(shù)打造的性能領(lǐng)先的MOSFET和第五代GeneSiC碳化硅二極管，其專有的薄片技術(shù)可以很好地提升散熱性能，帶來高頻、高效的性能表現(xiàn)。

納微半導體的GaNFast氮化鎵功率芯片則能實現(xiàn)高頻、高效的功率轉(zhuǎn)換。與采用傳統(tǒng)硅基功率器件的舊方案相比，新設(shè)計在體積和重量減半的情況下，功率與充電速度提升至3倍。

納微半導體的氮化鎵與碳化硅技術(shù)共同助力戴爾打造出兼具高速充電、超高效率、低溫運行、極致緊湊與精簡物料的高性能適配器。戴爾最新AI筆記本系列搭載專用神經(jīng)處理單元（NPU），可持久管理AI運算負載，配合納微為其打造的行業(yè)最廣泛的氮化鎵適配器產(chǎn)品組合，戴爾將進一步鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位。

這些新型適配器還有助于戴爾實現(xiàn)其先進的可持續(xù)發(fā)展目標，特別是在碳減排和節(jié)能方面。適配器外殼由再生材料制成，且所需的塑料減少了多達50%，顯著減少了能源浪費，提高了資源利用率。

納微半導體的GaNFast和GeneSiC技術(shù)有助于提高系統(tǒng)集成度和開關(guān)頻率，減少了無源器件的數(shù)量和產(chǎn)品尺寸，從“去物質(zhì)化”的角度在生產(chǎn)、包裝和物流過程中降低了碳足跡。

與傳統(tǒng)硅功率芯片相比，每出貨一顆GaNFast氮化鎵功率芯片可節(jié)省4kg二氧化碳排放，每出貨一顆碳化硅MOSFET可節(jié)省25kg二氧化碳排放。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示，“自2020年為戴爾的首款氮化鎵適配器提供技術(shù)支持以來，納微半導體一直與戴爾的工程團隊緊密合作，進一步提升充電速度、效率，縮小尺寸、減輕重量，如今還降低了對環(huán)境的影響。

戴爾的新型適配器是兼顧速度、便攜性和可持續(xù)性的最佳解決方案。我們的客戶通過采用納微的GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC功率器件，實現(xiàn)了市場效益與環(huán)境保護的雙贏?！?/p>

關(guān)于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。