MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。

MOS主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)：開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。

只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同MOS這個(gè)差距可能很大。

Mos開(kāi)關(guān)原理 ：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱小）。

靜電放電和高溫

靜電放電是指在MOS管與其他元件或人體之間發(fā)生的電荷交換現(xiàn)象，如果靜電放電能量過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致MOS管的擊穿或損壞。

MOS管在高溫環(huán)境下工作時(shí)，將降低其電性能，進(jìn)而引起燒壞。同時(shí)，高溫也會(huì)損壞MOS管的封裝材料，導(dǎo)致漏電等問(wèn)題。

因此，要保證焊接點(diǎn)的質(zhì)量和穩(wěn)定性。避免出現(xiàn)虛焊、冷焊等現(xiàn)象。也要關(guān)注散熱問(wèn)題，通過(guò)加裝散熱片、風(fēng)扇等散熱裝置來(lái)降低高溫問(wèn)題。

MOS管控制端柵極串聯(lián)電阻是否過(guò)大？

雖然MOS管屬于電壓控制型器件，但是該電阻不能省，串聯(lián)該電阻起到隔離保護(hù)作用。

若該電阻太大，因?yàn)镸OS管會(huì)有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長(zhǎng)時(shí)間達(dá)不到飽和開(kāi)通狀態(tài)，從而過(guò)熱燒毀。該電阻阻值一般10k以?xún)?nèi)即可。

若為正反轉(zhuǎn)控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，如下圖4個(gè)二極管不能省，這4個(gè)二極管屬于電機(jī)線(xiàn)圈續(xù)流二極管，用于保護(hù)控制電路，若控制管使用的是MOS管，其內(nèi)部一般會(huì)有寄生二極管，不需要外接。

MOS管體二極管的緩慢反向恢復(fù)

諸如特斯拉線(xiàn)圈之類(lèi)的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲(chǔ)大量能量。

在某些調(diào)諧條件下，當(dāng)一個(gè)MOS管關(guān)閉而另一個(gè)器件打開(kāi)時(shí)，這會(huì)導(dǎo)致電流“續(xù)流”通過(guò) MOS管的內(nèi)部體二極管。

這個(gè)原本不是什么問(wèn)題，但當(dāng)對(duì)面的MOS管試圖開(kāi)啟時(shí)，內(nèi)部體二極管的緩慢關(guān)斷（或反向恢復(fù)）就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。

與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長(zhǎng)的反向恢復(fù)時(shí)間。如果一個(gè) MOS管的體二極管在對(duì)立器件開(kāi)啟時(shí)導(dǎo)通，則類(lèi)似于上述擊穿情況發(fā)生“短路”。

這個(gè)問(wèn)題通常可以通過(guò)在每個(gè)MOS管周?chē)砑觾蓚€(gè)二極管來(lái)緩解。

首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯(lián)，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續(xù)流電流正向偏置。其次，高速（快速恢復(fù)）二極管并聯(lián)到MOS管/肖特基對(duì)，以便續(xù)流電流完全繞過(guò)MOS管和肖特基二極管。

這確保了MOS管體二極管永遠(yuǎn)不會(huì)被驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通，續(xù)流電流由快恢復(fù)二極管處理，快恢復(fù)二極管較少出現(xiàn)“擊穿”問(wèn)題。

雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。

典型電路：