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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>MOS管損毀原因總結(jié)

      MOS管損毀原因總結(jié)

      2017-06-19 | doc | 23KB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　MOS管損毀原因總結(jié)

      　　1、在電源電壓方面

      　　1）、過流-------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；

      　　2）、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

      　　3）、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；

      　　2、在MOS管電源電壓方面

      　　1）、漏源電壓過大，MOS管燒壞?，F(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；

      　　2）、漏源電流過大，MOS管燒壞?，F(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；

      　　3）、柵源電壓過大，MOS管燒壞?，F(xiàn)象：MOS管G、D、S短路；

      　　3、其他方面

      　　1）、堵轉(zhuǎn)會使電機感應(yīng)電動勢升高，使電機電流大增過流保護(hù)太遲鈍；

      　　2）、同時導(dǎo)通；

      　　3）、功率過大；

      　　4）、散熱不足；

      　　5）、頻率太高；

      　　6）、MOS管內(nèi)阻未充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大；

      　　4、會對MOS管造成的影響

      　　1）、MOS管吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響MOS管的功能和壽命。

      　　2）、因電場或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使MOS管不能工作（完全破壞）。

      　　3）、因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使MOS管受傷，雖仍能工作，但是壽命受損。3

      MOS管 電源電壓 電動勢
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