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半導(dǎo)體制造中混合氣體需精確控制

vogreat ? 來(lái)源:vogreat ? 作者:vogreat ? 2024-03-05 14:23 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體制造中,進(jìn)行氣體定量混合配氣使用是一個(gè)關(guān)鍵的步驟,將不同氣體按一定的比例混合到一起,配出不同濃度、多種組分的工藝氣體后才能更好的滿(mǎn)足工藝性能的要求,以確保半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程得以控制和優(yōu)化。以下是半導(dǎo)體制造中氣體混合的一些常見(jiàn)用途和相關(guān)操作。

1、清洗:氣體混合用于制備清洗氣體,例如氫氣和氮?dú)獾幕旌衔?,以去除制造設(shè)備和器件上的雜質(zhì)和殘留物,確保器件的純度。

2、退火:氣體混合物,通常是氫氣和氮?dú)獾幕旌衔铮糜诟邷貧渫嘶?,以去除晶格缺陷并提高晶片的質(zhì)量。

3、制備氣氛:某些半導(dǎo)體制造步驟需要特定的氣氛,以防止氧化或其他不良反應(yīng)。氣體混合物可用于創(chuàng)建這些特殊氣氛,例如氫氣和氮?dú)獾幕旌衔铩?/p>

4、化學(xué)氣相沉積(CVD):CVD是一種半導(dǎo)體薄膜制備工藝,氣體混合物用于在晶片表面沉積薄膜。混合氣體的組成和流量必須精確控制,以實(shí)現(xiàn)所需的薄膜性質(zhì)。

5、刻蝕:在半導(dǎo)體刻蝕過(guò)程中,混合氣體通常用于去除薄膜或材料的特定部分。例如,氟化氫和氮?dú)獾幕旌衔锟捎糜诠璧涛g。

6、氣相摻雜:半導(dǎo)體器件中的摻雜步驟可能需要混合氣體,以引入摻雜物質(zhì),如硼、磷或砷。

7、高溫工藝:高溫工藝,如退火和熱處理,通常需要混合氣體來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的氣氛和溫度控制。

在半導(dǎo)體制造中,氣體混合的關(guān)鍵是確?;旌蠚怏w的成分、流量和穩(wěn)定性能夠滿(mǎn)足工藝的要求,這通常需要精確的氣體混合系統(tǒng),包括流量控制器、混合室和監(jiān)測(cè)裝置,以確保工藝參數(shù)的精確控制。在半導(dǎo)體制造中,需要精確控制氣體混合物的成分和比例。確保氣體供應(yīng)系統(tǒng)具備精確的流量控制和混合控制能力,以滿(mǎn)足特定工藝的要求。 對(duì)于混合氣體,如果知道具體的組分比例,則可以選擇熱式或差壓式;因?yàn)闊崾胶筒顗菏皆黼m然是與氣體的質(zhì)量流量相關(guān),但是也會(huì)與氣體自身的其它特性相關(guān),所以需要知道具體是什么氣體或者混合氣體中每種氣體的大概比例,這樣測(cè)量出的流量值才會(huì)相對(duì)準(zhǔn)確。

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奧松電子研發(fā)的AS200系列氣體質(zhì)量流量控制器,適用于多種常規(guī)氣體,提高了氣體質(zhì)量流量控制測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度及可靠性。重復(fù)精度高達(dá)±0.2%F.S.;1×10 -10 Pa·m3 /sec He的低泄露率,氣密性好,保障生產(chǎn)安全;可支持多種信號(hào)輸出,包括數(shù)字信號(hào)、1~5V 模擬信號(hào)以及4~20mA模擬信號(hào),可以使用單電源(+15~+24 VDC),適用于不同的工作場(chǎng)景;標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)放的通訊協(xié)議為客戶(hù)自行開(kāi)發(fā)控制、采集軟件提供便利;同時(shí),產(chǎn)品還提供功能強(qiáng)大的免費(fèi)客戶(hù)端上位機(jī)軟件,方便用戶(hù)調(diào)試操作。

AS200系列產(chǎn)品是奧松電子采用先進(jìn)的MEMS技術(shù)研發(fā),在傳感器的驅(qū)動(dòng),零點(diǎn)漂移的控制和閥控等諸多方面都采用了獨(dú)特的技術(shù),保證了產(chǎn)品的高性能、高品質(zhì)和高可靠性,是一款穩(wěn)定性好、精度高、泄漏率低、耐壓高的優(yōu)質(zhì)儀器。 其典型的應(yīng)用場(chǎng)景包括:集成電路工藝設(shè)備,如外延、擴(kuò)散、等離子刻蝕、濺射、離子注入和各種CVD等設(shè)備;其他行業(yè)設(shè)備,如光纖熔煉、微反應(yīng)裝置、混氣配氣系統(tǒng)、氣體取樣裝置、毛細(xì)管測(cè)量?jī)x、氣相色譜儀及其它分析儀器等。

審核編輯 黃宇

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