據(jù)3月5日消息，美光科技考慮采用Canon的納米印刷技術(shù)以節(jié)省DRAM存儲(chǔ)芯片的單層制造成本。

近期的演示會(huì)上，美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。通過(guò)運(yùn)用被稱(chēng)作“Chop”的方法，層數(shù)逐漸增多，由此需經(jīng)過(guò)更多曝光步驟來(lái)去除密集存儲(chǔ)器陣列周?chē)臒o(wú)用元件。

他們指出，因?yàn)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/4854/" target="_blank">光學(xué)系統(tǒng)本身的限制，DRAM層的圖案難以用光學(xué)光刻技術(shù)印刷，然而納米印刷卻可實(shí)現(xiàn)更為精妙的效果。再者，納米印刷技術(shù)所產(chǎn)生的成本僅為浸入式光刻的五分之一，因此被視為極具吸引力的解決方案。

盡管納米印刷無(wú)法取代全部光刻工藝，但能夠有效降低技術(shù)操作的成本。

值得一提的是，Canon于去年10月份發(fā)布了FPA-1200NZ2C納米壓印光刻（NIL）半導(dǎo)體設(shè)備。佳能總裁御手洗富士夫強(qiáng)調(diào)，這項(xiàng)技術(shù)為小型半導(dǎo)體企業(yè)提供了一個(gè)生產(chǎn)前沿芯片的新途徑。

佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)經(jīng)理巖本和德解釋道，此項(xiàng)技術(shù)主要依賴(lài)于通過(guò)壓制帶半導(dǎo)體電路圖案的掩模在晶片上生成復(fù)雜的二維或三維電路圖樣。據(jù)悉，只需配備合適的掩模，便能實(shí)現(xiàn)從2nm甚至更為先進(jìn)芯片的制造。