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美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2025-01-17 14:14 ? 次閱讀
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近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布,將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前,美光正在對最終設(shè)備進行評估,并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。

這一消息標志著美光在高性能內(nèi)存領(lǐng)域邁出了重要一步。16-Hi HBM3E內(nèi)存以其高帶寬、低功耗的特性,在數(shù)據(jù)中心人工智能、機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷進步,市場對高性能內(nèi)存的需求日益增加,美光的加入無疑將加劇市場競爭,推動整個行業(yè)的進步。

據(jù)了解,美光此次推出的16-Hi HBM3E內(nèi)存采用了先進的堆疊技術(shù),能夠在同樣的基板面積上實現(xiàn)更高的存儲密度。這不僅提升了內(nèi)存的傳輸效率,還降低了生產(chǎn)成本,使得產(chǎn)品更具競爭力。

美光的目標是將其在HBM細分市場的占有率從低個位數(shù)提升至與整體DRAM領(lǐng)域相當?shù)?0%。為此,美光正在全球范圍內(nèi)積極擴張產(chǎn)能,并加強與行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)公司的合作,共同開發(fā)能夠快速處理海量數(shù)據(jù)的新一代應(yīng)用。

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