美光加入16-Hi HBM3E內存競爭
近日，全球DRAM內存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內存市場。目前，美光正在對最終設備進行評估，并計劃在今年內實現量產。
這一消息標志著美光在高性能內存領域邁出了重要一步。16-Hi HBM3E內存以其高帶寬、低功耗的特性，在數據中心、人工智能、機器學習等領域具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷進步，市場對高性能內存的需求日益增加，美光的加入無疑將加劇市場競爭，推動整個行業(yè)的進步。
據了解，美光此次推出的16-Hi HBM3E內存采用了先進的堆疊技術，能夠在同樣的基板面積上實現更高的存儲密度。這不僅提升了內存的傳輸效率，還降低了生產成本，使得產品更具競爭力。
美光的目標是將其在HBM細分市場的占有率從低個位數提升至與整體DRAM領域相當的20%。為此，美光正在全球范圍內積極擴張產能，并加強與行業(yè)領先技術公司的合作，共同開發(fā)能夠快速處理海量數據的新一代應用。
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發(fā)表于 06-18 10:50
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