中國碳化硅襯底價格驟降，外資企業(yè)仍主導市場
據(jù)悉，中國碳化硅（SiC）襯底價格近期大幅下滑，本國供應商間激烈的競爭使該趨勢預計將持續(xù)到2024年底。此降價趨勢源自國際半導體IDM等大型廠商的訂購需求無法滿足國內供應商生產能力。
盡管部分中國企業(yè)計劃加大本土供應鏈采購力度以降低成本，然而考慮到安全性和可靠性問題，一些電動汽車制造商可能不會完全依賴或提高本土供應份額，從而使得實際自給率未如之前宣揚的那般理想。
值得注意的是，西方主要的碳化硅供應商如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等均享有廣大中國市場份額，并成為包括外國及中國合資汽車品牌在內各大汽車制造商的首選供應商。
盡管中國本土供應商近日將一線產品的售價下調了約30%，但全球其他地區(qū)的價格尚且平穩(wěn)。以主流6英寸碳化硅襯底為例，國際供應商報價大約在750至800美元；相較之下中國制造商的售價原本較低約5%，如今差距已拉大至約30%。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電動汽車
+關注
關注
156文章
12552瀏覽量
236255 -
供應鏈
+關注
關注
3文章
1759瀏覽量
41424 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3321瀏覽量
51731
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧
摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結果的影響研究
摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程，深入探究表面粗糙度對測量結果的影響機制，通過理論分析與實驗驗證，揭示表面粗糙度與測量誤差的關聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升
【新啟航】國產 VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析
本文通過對比國產與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導體制造企業(yè)及科研機構選購測量設備提供科學依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構
到IDM模式的戰(zhàn)略轉型 國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導體產業(yè)的轉型升級路徑。國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)創(chuàng)立初期采用
CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示
）的壟斷與衰落 技術壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長期主導全球碳化硅襯底市場，其物理氣相傳輸法（PVT）生長技術及6英寸襯底工藝
環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定
近日，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC
碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
一、引言
隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質量的檢測愈發(fā)關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質量的重要參數(shù)，準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關重要
不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在當今蓬勃發(fā)展的半導體產業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關鍵基礎材料，正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上
碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中，
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
發(fā)表于 01-04 12:37
用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機構
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性
碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點厚度最高點與最低點之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效
碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)
修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高
工商網(wǎng)監(jiān)
評論